[发明专利]一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法有效

专利信息
申请号: 201510496264.5 申请日: 2015-08-13
公开(公告)号: CN105084409B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 刘小娣;陈浩;孙瑞雪;杨昱涵;刘光印;位敏;麻丽媛 申请(专利权)人: 南阳师范学院
主分类号: C01G3/02 分类号: C01G3/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 代理人: 刘戈
地址: 473061 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 200 暴露 分散 cuo 纳米 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将可溶性铜盐和络合剂加入到去离子水中,放置老化10min后配制成混合溶液,在搅拌条件下将碱溶液滴入到混合溶液中得到溶液A,其中,可溶性铜盐的浓度为0.05~0.15mol/L,络合剂的浓度为0.15~0.40mol/L,碱源的浓度为0.20~0.60mol/L;

2)在溶液A中加入0.20~0.40mol/L离子液体,超声分散10min后得到溶液B;

3)将溶液B在特定的反应温度下进行水热合成反应,晶体生长时间为8~12h;将得到的粉末洗涤、干燥后即可得到(200)晶面暴露的单分散CuO纳米片;

所述络合剂为柠檬酸三钠、草酸和酒石酸钾钠中的一种、两种或两种以上任意比例的组合;

所述离子液体中阳离子为1-乙基-2,3-二甲基咪唑、1-丁基-2,3-二甲基咪唑、1-丁基-3-甲基咪唑或1-辛基-3-甲基咪唑,阴离子为氯离子、溴离子、四氟硼酸根离子或六氟磷酸根离子;

所述水热合成反应温度为120~150℃。

2.根据权利要求1所述的一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法,其特征在于,所述可溶性铜盐为五水合硫酸铜、三水合硝酸铜和二水合氯化铜中的一种、两种或两种以上任意比例的组合。

3.根据权利要求1所述的一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法,其特征在于,合成的单分散CuO纳米片的平均长度、平均宽度和平均厚度分别为500nm,200nm和30nm。

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