[发明专利]一种（200）晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法

权利要求书

1.一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将可溶性铜盐和络合剂加入到去离子水中，放置老化10min后配制成混合溶液，在搅拌条件下将碱溶液滴入到混合溶液中得到溶液A，其中，可溶性铜盐的浓度为0.05～0.15mol/L，络合剂的浓度为0.15～0.40mol/L，碱源的浓度为0.20～0.60mol/L；

2)在溶液A中加入0.20～0.40mol/L离子液体，超声分散10min后得到溶液B；

3)将溶液B在特定的反应温度下进行水热合成反应，晶体生长时间为8～12h；将得到的粉末洗涤、干燥后即可得到(200)晶面暴露的单分散CuO纳米片；

所述络合剂为柠檬酸三钠、草酸和酒石酸钾钠中的一种、两种或两种以上任意比例的组合；

所述离子液体中阳离子为1-乙基-2,3-二甲基咪唑、1-丁基-2,3-二甲基咪唑、1-丁基-3-甲基咪唑或1-辛基-3-甲基咪唑，阴离子为氯离子、溴离子、四氟硼酸根离子或六氟磷酸根离子；

所述水热合成反应温度为120～150℃。

2.根据权利要求1所述的一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法，其特征在于，所述可溶性铜盐为五水合硫酸铜、三水合硝酸铜和二水合氯化铜中的一种、两种或两种以上任意比例的组合。

3.根据权利要求1所述的一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法，其特征在于，合成的单分散CuO纳米片的平均长度、平均宽度和平均厚度分别为500nm，200nm和30nm。