[发明专利]镀膜装置

说明书

一种镀膜装置，用以在基材上进行镀膜，镀膜装置包含镀膜腔室、载台以及至少一磁场产生件。载台设置于镀膜腔室内且具有顶面，顶面用以盛放基材。磁场产生件设置于载台内或载台下方。通过让磁场产生件产生磁场分布于载台附近，当镀膜腔室中的原子或分子沉积至基材上时，分布于载台附近的磁场会与即将沉积于基材上的原子或分子交互作用，于是即将沉积至基材上的原子或分子将能获得额外的动能，因而使薄膜成长的速度增加。

技术领域

本发明是有关于一种镀膜装置。

背景技术

在半导体制程中，沉积或镀膜制程可通过物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)完成。其中，物理气相沉积是采用物理方法，将材料源气化成气态原子、分子或电离成离子，并通过低压气体，而在基材表面形成与材料源相同材质的薄膜的技术。化学气相沉积则是将制程气体利用化学反应的方法，将欲形成的材料沉积于基材上。

现阶段，不论是使用物理气相沉积或化学气相沉积，皆希望能在基材上尽可能沉积厚度均匀的薄膜。然而，随着半导体制程技术的演进，例如晶圆一路从12吋扩展到18吋甚至更大的尺寸时，就越难在如此大的晶圆上维持沉积薄膜的厚度的一致性。

发明内容

本发明的一目的为提供一种镀膜装置，此镀膜装置用以在一基材上镀膜。

根据本发明一实施方式，一种镀膜装置，用以在基材上进行镀膜，镀膜装置包含镀膜腔室、载台以及至少一磁场产生件。载台设置于镀膜腔室内且具有顶面，顶面用以盛放基材。磁场产生件设置于载台内或载台下方。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件为永久磁铁。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件为电磁铁。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件为多个，至少部分的磁场产生件的N极朝向顶面，且至少部分的磁场产生件的S极朝向顶面。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件为圆形、环形或条状。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件为多个，且磁场产生件以矩型阵列或蜂巢方式排列。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件所产生的磁场的空间分布会随着时间改变。

根据本发明一或多个实施方式，镀膜装置还包含设置于载台下方的转盘。转盘用以盛放磁场产生件，且转盘在进行镀膜时会进行自转。

本发明另一目的为提供一种镀膜装置，用以在基材上进行镀膜，镀膜装置包含镀膜腔室、载台、母转盘、至少二个子转盘以及外围齿轮部。载台设置于镀膜腔室内，且具有顶面，顶面用以盛放基材。母转盘设置于载台下方中央部位，母转盘具有母齿轮部。子转盘设置于母转盘外侧，每个子转盘具有子齿轮部与至少一磁场产生件，每个子齿轮部与母齿轮部啮合。外围齿轮部设置于载台下方最外围，并包围每个子转盘，外围齿轮部与每个子齿轮部啮合。

根据本发明一或多个实施方式，磁场产生件包含S极磁性元件与N极磁性元件。

在本发明不同实施方式中，磁场产生件产生磁场分布于载台附近，当镀膜腔室中的原子或分子沉积至基材上时，分布于载台附近的磁场会与即将沉积于基材上的原子或分子交互作用，于是即将沉积至基材上的原子或分子将能获得额外的动能，因而使薄膜成长的速度增加。

附图说明

图1为本发明一实施方式的镀膜装置的示意图；

图2A至图2E为本发明不同实施方式的多个磁场产生件的图案示意图；

图3为本发明另一实施方式的镀膜装置的示意图；

图4为本发明又一实施方式的镀膜装置的示意图；