[发明专利]制造鳍的方法

权利要求书

1.一种制造鳍的方法，包括：

在衬底上形成第一宽度的第一鳍线和第二宽度的第二鳍线的交替排列，其中第一宽度小于第二宽度；

对第一鳍线和第二鳍线进一步刻蚀，使第一鳍线的高度低于第二鳍线的高度；以及

对第二鳍线进行氧化修复，在氧化修复期间，第一鳍线被完全氧化；

其中，第二鳍线用于形成器件的鳍。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在衬底上形成第一宽度的第一鳍线和第二宽度的第二鳍线的交替排列的步骤中，形成第一鳍线和第二鳍线包括：

在衬底上形成构图的掩模，掩模包括与第一鳍线相对应的第一部分以及与第二鳍线相对应的第二部分；

利用掩模进行刻蚀，以形成所述第一鳍线和所述第二鳍线。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在利用掩模进行刻蚀之后，通过选择性刻蚀，至少去除掩模的第一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述选择性刻蚀还去除了掩模的第二部分。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述选择性刻蚀包括各向同性刻蚀。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述刻蚀包括湿法腐蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述进一步刻蚀包括湿法腐蚀。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，第一和第二鳍线包括硅，所述湿法腐蚀利用TMAH溶液进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

衬底包括SO1衬底，SOI衬底包括依次设置的基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；

第一和第二鳍线由SOI衬底的SOI层形成；以及

在所述进一步刻蚀后，第一鳍线和第二鳍线覆盖埋入绝缘层，而没有露出埋入绝缘层。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，掩模的第一部分的宽度在2-20nm之间，掩模的第二部分的宽度在20-80nm之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，掩模的第一部分和第二部分平行排列，且第二部分之间的间距为50-200nm。