[发明专利]封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；以及

上盖板结构，所述上盖板结构的第一表面具有凹槽结构；

其中，所述芯片单元的第一表面与所述上盖板结构的第一表面相对结合，所述感应区域位于所述凹槽结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内；所述上盖板结构还包括与第一表面相对的第二表面，且所述上盖板结构第二表面的面积小于第一表面的面积。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上盖板结构还包括侧壁，所述侧壁包括垂直壁和倾斜壁，所述倾斜壁的第一端与所述上盖板结构的第二表面的边缘连接，其相对的第二端与所述垂直壁的顶端连接。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述倾斜壁与所述垂直壁之间的夹角为120°～150°。

4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述垂直壁顶端与所述上盖板结构第二表面的高度差基于所述上盖板结构的厚度、所述凹陷结构内侧壁与所述上盖板结构垂直壁之间的距离、以及所述上盖板结构的折射率确定。

5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述垂直壁顶端与所述上盖板结构第二表面的高度差为所述上盖板结构厚度的1/5～4/5。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上盖板结构的材料为透光材料。

7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述上盖板结构的材料为无机玻璃或者有机玻璃，厚度为300μm～500μm。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片单元还包括：

位于所述感应区域外的焊垫；

从所述芯片单元的与第一表面相对的第二表面贯穿所述芯片单元的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；

覆盖所述芯片单元第二表面和所述通孔侧壁表面的绝缘层；

位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电学连接的金属层；

位于所述金属层和所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开口；

填充所述开口，并暴露在所述阻焊层表面之外的外接凸起。

9.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面包括多个芯片单元和位于芯片单元之间的切割道区域，所述芯片单元包括感应区域；

提供封盖基板，在所述封盖基板的第一表面形成多个凹槽结构，所述凹槽结构与所述待封装晶圆上的感应区域相对应；

将所述封盖基板的第一表面与所述待封装晶圆的第一表面相对结合，使得所述凹槽结构与所述待封装晶圆的第一表面围成空腔，所述感应区域位于所述空腔内；

沿所述切割道区域对所述待封装晶圆和所述封盖基板进行切割，形成多个芯片封装结构，所述芯片封装结构包括所述芯片单元和位于所述芯片单元上的由切割所述封盖基板形成的上盖板结构，所述上盖板结构包括位于所述芯片单元一侧的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且所述切割使得所述上盖板结构的第二表面的面积小于第一表面的面积。

10.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，沿所述切割道区域对所述待封装晶圆和所述封盖基板进行切割包括：

执行第一切割工艺，包括沿所述切割道区域从所述待封装晶圆的与第一表面相对的第二表面开始切割，直至到达所述待封装晶圆的第一表面形成第一切割沟槽；

执行第二切割工艺，包括沿所述切割道区域从所述封盖基板的与第一表面相对的第二表面开始切割到达预设深度，形成第二切割沟槽，所述第二切割沟槽的宽度沿从所述封盖基板的第二表面到第一表面的方向逐渐减小；以及

执行第三切割工艺，包括继续切割所述封盖基板，直至形成贯通所述第一切割沟槽和所述第二切割沟槽的第三切割沟槽，同时形成多个芯片封装结构。

11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述预设深度基于所述芯片封装结构的上盖板结构的厚度、所述凹陷结构内侧壁与所述上盖板结构侧壁之间的距离、以及所述上盖板结构的折射率确定。

12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述预设深度为所述封盖基板厚度的1/5～4/5。