[发明专利]封装结构及封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装结构和一种封装方法。

背景技术

传统技术上，IC芯片与外部电路的连接是通过金属引线键合(WireBonding)的方式实现。随着IC芯片特征尺寸的缩小和集成电路规模的扩大，引线键合技术不再适用。

晶圆级芯片封装(WaferLevelChipsizePackaging，WLCSP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级芯片封装技术颠覆了传统封装如陶瓷无引线芯片载具(CeramicLeadlessChipCarrier)、有机无引线芯片载具(OrganicLeadlessChipCarrier)的模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片封装技术封装后的芯片达到了高度微型化，芯片成本随着芯片的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和发展趋势。

影像传感器芯片作为一种可以将光学图像转换成电子信号的芯片，其具有感应区域。当利用现有的晶圆级芯片封装技术对影像传感器芯片进行封装时，为了在封装过程中保护上述的感应区域不受损伤和污染，通常会在感应区域位置形成一个上盖基板。所述上盖基板在完成晶圆级芯片封装后，可以继续保留，在影像传感器芯片的使用过程中继续保护感应区域免受损伤和污染。

但是，采用上述晶圆级芯片封装技术形成的影像传感器性能不佳。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术形成的影像传感器性能不佳。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种封装结构。所述封装结构包括：芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；以及上盖板结构，所述上盖板结构的第一表面具有多个凹槽结构；其中，所述芯片单元的第一表面与所述上盖板结构的第一表面相对结合，所述感应区域位于所述凹槽结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内；所述上盖板结构还包括与第一表面相对的第二表面，且所述上盖板结构第二表面的面积小于第一表面的面积。

可选地，所述上盖板结构还包括侧壁，所述侧壁包括垂直壁和倾斜壁，所述倾斜壁的第一端与所述上盖板结构的第二表面的边缘连接，其相对的第二端与所述垂直壁的顶端连接。

可选地，所述倾斜壁与所述垂直壁之间的夹角为120°～150°。

可选地，所述垂直壁顶端与所述上盖板结构第二表面的高度差基于所述上盖板结构的厚度、所述凹陷结构内侧壁与所述上盖板结构垂直壁之间的距离、以及所述上盖板结构的折射率确定。

可选地，所述垂直壁顶端与所述上盖板结构第二表面的高度差为所述上盖板结构厚度的1/5～4/5。

可选地，所述上盖板结构的材料为透光材料。

可选地，所述上盖板结构的材料为无机玻璃或者有机玻璃，厚度为300μm～500μm。

可选地，所述芯片单元还包括：位于所述感应区域外的焊垫；从所述芯片单元的与第一表面相对的第二表面贯穿所述芯片单元的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；覆盖所述芯片单元第二表面和所述通孔侧壁表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电学连接的金属层；位于所述金属层和所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开口；填充所述开口，并暴露在所述阻焊层表面之外的外接凸起。

对应于上述的封装结构，本发明实施例还提供了一种封装方法，所述封装方法包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面包括多个芯片单元和位于芯片单元之间的切割道区域，所述芯片单元包括感应区域；提供封盖基板，在所述封盖基板的第一表面形成多个凹槽结构，所述凹槽结构与所述待封装晶圆上的感应区域相对应；将所述封盖基板的第一表面与所述待封装晶圆的第一表面相对结合，使得所述凹槽结构与所述待封装晶圆的第一表面围成空腔，所述感应区域位于所述空腔内；沿所述切割道区域对所述待封装晶圆和所述封盖基板进行切割，形成多个芯片封装结构，所述芯片封装结构包括所述芯片单元和位于所述芯片单元上的由切割所述封盖基板形成的上盖板结构，所述上盖板结构包括位于所述芯片单元一侧的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且所述切割使得所述上盖板结构的第二表面的面积小于第一表面的面积。