[发明专利]发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510502099.X | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105185887B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朴准奭;金腾官;申悍 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 发光 器件 | ||
1.一种发光二极管，包括：
导电支撑衬底；
反射电极层，所述反射电极层在所述导电支撑衬底上具有凸起中心部分，并且所述反射电极层具有围绕所述凸起中心部分的外围部分；
保护层，所述保护层在所述反射电极层的外围部分上；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述反射电极层和所述保护层上；
有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；
第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；以及
第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，
其中，所述反射电极层接触所述第二导电半导体层的底表面和所述保护层的底表面，以及
其中，所述保护层包括半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述保护层包括与所述第二导电半导体层相同的第一半导体层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述反射电极层的外围部分垂直地重叠所述第二导电半导体层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述反射电极层的外围部分垂直地重叠所述第二导电半导体层和所 述保护层这两者。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二导电半导体层包括延伸在所述第二导电半导体层外部的边缘部分，
其中，蚀刻凹槽被形成在所述第二导电半导体层的外围部分处，
其中，所述蚀刻凹槽的宽度小于所述保护层的宽度。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述反射电极层的外围部分垂直地重叠所述第二导电半导体层的边缘部分和所述保护层这两者。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述保护层直接地接触所述第二导电半导体层的边缘部分。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述保护层的顶表面直接地接触所述第二导电半导体层的边缘部分的底表面。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述保护层的外部与所述反射电极层的外围部分的外部对齐。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述保护层围绕所述反射电极层的凸起中心部分，以及
其中，所述反射电极层的凸起中心部分相对于所述反射电极层的外围部分向上突出，
其中，所述反射电极层的凸起中心部分接触所述第二导电半导体层的底表面，以及
其中，所述反射电极层的外围部分接触所述保护层的底表面。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二导电半导体层的横向宽度大于所述反射电极层的凸起中心部分的横向宽度。
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