[发明专利]发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510502099.X 申请日: 2009-07-21
公开(公告)号: CN105185887B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 朴准奭;金腾官;申悍 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 达小丽;夏凯
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法 发光 器件
【说明书】:

本发明提供了发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。该发光器件包括:电路板,其形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案;发光二极管,其电连接到电路板上的第一导电图案和第二导电图案;第一模制构件,第一模制构件包围所述发光二极管;以及第二模制构件,第二模制构件在所述第一模制构件上。发光二极管包括导电支撑衬底、在导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在反射电极层的外围部分上的保护层、在反射层和保护层上的第二导电半导体层、在第二导电半导体层上的有源层、在有源层上的第一导电半导体层和在第一导电半导体层上的第一电极层。

本申请是申请号为200980110760.5、申请日为2009年7月21日、标题为“发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。

背景技术

近来,发光二极管广泛用作发光器件。

发光二极管包括n型半导体层、有源层和p型半导体层。当功率分别施加到n型半导体层和p型半导体层时,有源层发光。发光二极管可以被制造成发射具有适用于各种应用领域的各种颜色的光。

采用发光二极管的发光器件包括荧光体,荧光体被从发光二极管发射的光激发,使得可以发射激发光,由此发射具有各种颜色的光。

例如,可以形成包括黄色荧光体的第一模制构件,使其包围发射具有蓝色波长的光的发光二极管。黄色荧光体被从发光二极管发射的光激发,由此发射具有黄色波长的激发光。

发明内容

技术问题

实施例提供了发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。

实施例提供具有改进绝缘特性的发光二极管和制造该发光二极管的方法。

实施例提供包括发光二极管的发光器件和制造该发光器件的方法,其能够容易地处理用于发光器件的模制构件。

实施例提供制造发光器件的方法,其能够同时处理用于多个发光器件的模制构件。

技术方案

根据实施例的发光器件包括:电路板,所述电路板形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案;发光二极管,所述发光二极管电连接到所述电路板上的所述第一导电图案和所述第二导电图案;第一模制构件,所述第一模制构件包围所述发光二极管;以及第二模制构件,所述第二模制构件在所述第一模制构件上,其中所述发光二极管包括导电支撑衬底、在所述导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在所述反射电极层的外围部分上的保护层、在所述反射层和所述保护层上的第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层、在所述有源层上的第一导电半导体层和在所述第一导电半导体层上的第一电极层。

根据实施例的用于制造发光器件的方法包括:在电路板上形成发光二极管;在所述电路板上形成第一模制构件,使得所述第一模制构件包围所述发光二极管;在所述第一模制构件上形成第二模制构件,并且执行初步固化处理;以及设置施压构件以使所述第二模制构件的形状变形并且执行主固化处理。

根据实施例的发光二极管包括:导电支撑衬底;具有凸起中心部分的反射电极层,所述反射电极层在所述导电支撑衬底上;保护层,所述保护层在所述反射电极层的外围部分上;第二导电半导体层,所述第二导电半导体层在所述反射层和所述保护层上;有源层,所述有源层在所述第二导电半导体层上;第一导电半导体层,所述第一导电半导体层在所述有源层上;以及第一电极层,所述第一电极层在所述第一导电半导体层上。

有益效果

实施例可以提供发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。

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