[发明专利]薄膜晶体管制作方法及阵列基板制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形；

在多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘；

对栅极上方的光刻胶进行减薄处理；

以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域；

去除剩余的光刻胶。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成所述栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘的步骤包括：

形成栅金属薄膜，在栅金属薄膜上形成光刻胶薄膜；

采用掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光，并显影，只保留栅极区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露出来的栅金属薄膜，且在保留的光刻胶的边缘对所述栅金属薄膜过刻，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，采用湿刻法刻蚀所述栅金属薄膜。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对栅极上方的光刻胶进行减薄处理具体为灰化栅极上方的光刻胶，以减薄栅极上方的光刻胶的厚度。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述光刻胶薄膜厚度为：1.5μm～3.5μm。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述减薄处理后的光刻胶的厚度为：100nm～700nm。

7.如权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，去除剩余的光刻胶后还包括：

形成包括绝缘间隔层及穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔；

形成包括源极和漏极的图形，所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过所述第二过孔连接所述有源层。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，还包括：在所述源极和漏极之上形成包括绝缘保护层的图形。

9.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：如权利要求7或8所述的薄膜晶体管制作方法，在形成所述源极和漏极之后还包括形成包括平坦层及像素电极的图形，使所述像素电极通过穿过所述平坦层的过孔连接所述漏极。

10.如权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在形成所述多晶硅层之前还包括在所述衬底基板上形成缓冲层，所述多晶硅层形成在所述缓冲层上。