[发明专利]薄膜晶体管制作方法及阵列基板制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管制作方法及阵列基板制作方法。

背景技术

近年来，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)液晶显示器，具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点得到迅速的发展。随着液晶显示器(LCD)显示尺寸的增大、分辨率更高的发展，高分辨率使得像素间距更小，线宽缩小，开口率增加。然而Crosstalk(串扰)也成为一直是影响TFT-LCD画面品质的重要问题之一，影响良率和生产效益。低温多晶硅的最大缺点就是漏电流，在高温信赖性下，受温度、光照、偏压的影响，薄膜晶体管的漏电流将急剧增加，进而加重串扰现象。在GOACMOS驱动中，PMOS因没有轻掺杂，漏电流尤为严重。

现有的低温多晶硅液晶显示器针对CMOS驱动中PMOS漏电流大的问题，在晶体管制作过程中采取的是如下工艺对多晶硅进行掺杂：

S101：如图1所示，在衬底基板10上形成多晶硅层20，所述多晶硅层20包括：第一多晶硅区A、位于所述第一多晶硅区A两侧的第二多晶硅区B、位于所述第二多晶硅区B远离所述第一多晶硅区A一侧的第三多晶硅区C。

S102：如图2所示，在形成有所述多晶硅层20的基板上依次形成栅绝缘层30、栅金属薄膜和光刻胶薄膜，对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影后形成光刻胶完全保留部分401、光刻胶半保留部分402和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分401对应所述第一多晶硅区A，所述光刻胶半保留部分402对应第二多晶硅区B，所述光刻胶完全去除部分对应其余部分。采用湿法刻蚀去除所述光刻胶完全去除部分的所述栅金属薄膜。

S103、如图3所示，以所述光刻胶完全保留部分401和所述光刻胶半保留部分402为掩膜，对露出的所述第三多晶硅区C进行N+掺杂，形成重掺杂区C。

S104、如图4所示，采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分402的光刻胶，并对露出的所述栅金属薄膜进行湿法刻蚀，形成栅电极50。

S105、如图5所示，以所述栅电极50为掩膜，对露出的所述第二多晶硅区B进行轻掺杂，形成轻掺杂区B。其中，第一多晶硅区A、所述轻掺杂区B、重掺杂区C构成有源层20a。

由上述过程可知，要实现对多晶硅的轻掺杂和重掺杂需要两次掺杂工艺，使得薄膜晶体管的制作流程相对复杂，成本增加。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何在不增加工艺流程和成本的情况下尽量减小PMOS低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜晶体管制作方法，包括：

在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形；

在多晶硅层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘；

对栅极上方的光刻胶进行减薄处理；

以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域；

去除剩余的光刻胶。

其中，所述形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成所述栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘的步骤包括：

形成栅金属薄膜，在栅金属薄膜上形成光刻胶薄膜；

采用掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光，并显影，只保留栅极区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露出来的栅金属薄膜，且在保留的光刻胶的边缘对所述栅金属薄膜过刻，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘。

其中，采用湿刻法刻蚀所述栅金属薄膜。

其中，对栅极上方的光刻胶进行减薄处理具体为灰化栅极上方的光刻胶，以减薄栅极上方的光刻胶的厚度。

其中，所述光刻胶薄膜厚度为：1.5μm～3.5μm。

其中，所述减薄处理后的光刻胶的厚度为：100nm～700nm。

其中，去除剩余的光刻胶后还包括：

形成包括绝缘间隔层及穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔；

形成包括源极和漏极的图形，所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过所述第二过孔连接所述有源层。

其中，还包括：在所述源极和漏极之上形成包括绝缘保护层的图形。