[发明专利]干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法

权利要求书

1.一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，其特征在于，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体相对所述绝缘套伸缩，使所述导电体伸出所述绝缘套将所述基板顶起，将蚀刻后的基板上残留的静电移除，所述导电体贯穿所述底壁，且部分所述导电体设于所述反应腔体外并接地设置，所述底壁上位于所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板，用以防止所述反应腔体内放电击伤所述第二电极。

2.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。

3.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向腔体的表面设有数个保护板。

4.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述导电体为金属针体并伸出所述绝缘套露于所述反应腔体内。

5.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述绝缘挡板为陶瓷材料制成。

6.一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法，所述方法包括，提供一干式蚀刻装置，其包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体；其中，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体相对所述绝缘套伸缩，所述导电体贯穿所述底壁，且部分所述导电体设于所述反应腔体外并接地设置，所述底壁上位于所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板，用以防止所述反应腔体内放电击伤所述第二电极；

使所述两个导接体伸入所述反应腔体内；

通过运送机构将一基板放入所述反应腔体内，所述两个导接体抵接并承载所述基板；

所述基板在所述反应腔体内进行蚀刻后，向反应腔体内注入等离子体，以去除基板上的静电；

使两个导接体伸出所述绝缘套将所述基板重新顶起，并且所述导电体接地导通。

7.如权利要求6所述的阵列基板干式蚀刻去除静电方法，其特征在于，所述导电体为金属针体。

8.如权利要求7所述的阵列基板干式蚀刻去除静电方法，其特征在于，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向腔体的表面设有数个保护板。

9.如权利要求8所述的阵列基板干式蚀刻去除静电方法，其特征在于，所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。