[发明专利]干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法

说明书

本发明提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置，本发明还公开了一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法。

技术领域

本发明涉及蚀刻制造技术领域，尤其涉及一种干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法。

背景技术

在目前的液晶显示面板阵列基板制造过程中，对各层的薄膜刻蚀有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，对于一般的a-si、SiNx、SiOx以及一些金属膜的刻蚀，多采用干法刻蚀。但是，在干法刻蚀机刻蚀过程中，基板表面静电累积过多时，会发生异常放电，造成静电击伤基板；而且干法刻蚀机下部电极上的吸附，是利用静电进行吸附基板，若刻蚀完成后，静电卸载不完全时，顶针在上升过程易造成基板破裂。

发明内容

本发明涉及一种干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法，可降低阵列基板薄膜在蚀刻时受静电的损坏。

本发明提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置。

其中，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板。

其中，所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。

其中，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向腔体的表面设有数个保护板。

其中，所述导电体为金属针体。

其中，所述绝缘挡板为陶瓷材料制成。

一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法，所述方法包括，提供一干式蚀刻装置，其包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置；

使所述两个导接体伸入所述反应腔体内；

通过运送机构将一基板放入所述反应腔体内，所述两个导接体抵接并承载所述基板；

所述基板在所述反应腔体内进行蚀刻后，向反应腔体内注入等离子体，以去除基板上的静电；

使两个导接体伸出所述绝缘套将所述基板重新顶起，并且所述导电体接地导通。其中，所述导电体为金属针体。

其中，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向反应腔体的表面设有数个保护板。

其中，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板；所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。

本发明的干式蚀刻装置在反应腔体内设置导电功能的导电体放入绝缘套内，与绝缘套同时支撑基板，而在装入与卸载基板时，所述导电体均对基板上的静电进行移除，进而使基板在蚀刻后共进行了三次静电移除，可以有效的干净的去除基板的静电，有效防止基板收到损坏或异常的发生。

附图说明