[发明专利]MEMS的晶片级封装

说明书

本发明涉及MEMS的晶片级封装。通过将下部的聚合物膜应用到包含多个MEMS装置(100)和(102)的公共衬底(104)的顶部表面，并且图形化下部的聚合物膜以形成在每个MEMS装置(100)和(102)的组件(108)周围的顶部空间壁(118)，从而形成MEMS装置(100)。随后，上部的聚合物干膜被应用到顶部空间壁(118)的顶部表面并且被图形化以形成顶部空间盖，该顶部空间盖隔离每个MEMS装置(100)和(102)的组件(108)。随后，使MEMS装置(100)和(102)单片化以提供单独的MEMS装置(100)和(102)。

技术领域

本发明涉及微机电系统(MEMS)装置领域。更具体地，本发明涉及MEMS装置封装。

背景技术

在封装中MEMS装置可能需要腔体(也被称为顶部空间)以允许正确操作。以期望成本形成具有与外界环境密封隔离的顶部空间的MEMS装置的封装件可能是有问题的。

发明内容

以下内容提供简化的概述以提供本发明的一个或更多方面的基本了解。此概述不是本发明的广泛的概述，并且既不是旨在确定本发明的主要的或关键的因素，也不是描述本发明的范围。相反，此概述的主要目的是以简化形式提供本发明的一些概念，作为稍后所要提供的更详细的说明的前序。

可以通过以下步骤形成MEMS装置：通过将下部的聚合物膜应用到公共衬底上的多个MEMS装置的顶部表面，并且图形化下部的聚合物膜以形成在每个MEMS装置的组件周围的顶部空间壁形成。随后，上部的聚合物干膜被应用到顶部空间壁的顶部表面并且被图形化以形成顶部空间盖，其隔离每个MEMS装置的组件。随后，使MEMS装置单片化以提供单独的MEMS装置。

附图说明

图1A到图1G是一个示例性MEMS装置的立体图，其描述制造的连续阶段。

图2A到图2E是另一个示例性MEMS装置的立体图，其描述制造的连续阶段。

具体实施方式

参考附图描述本发明。附图不都是按比例绘制并且仅用于说明本发明而提供。参考用于说明的示例应用，下面描述本发明的若干方面。应当了解，提出许多具体细节、关系和方法以提供本发明的理解。然而，相关领域技术人员在没有一个或更多具体细节的情况下或使用其他方法很容易理解本发明。在其他情况下，未详细示出已知结构或操作以避免混淆本发明。本发明不受示出的行为或事件的顺序限制，而且一些行为可以以不同顺序和/或与其他行为或事件同时发生。此外，不是所有根据本发明示出的行为或事件需要用于实施方法。

可以通过以下步骤形成MEMS装置：将下部的聚合物层应用到在公共衬底上的多个MEMS装置的顶部表面，并且图形化下部的聚合物膜以形成每个MEMS装置上的顶部空间壁，顶部空间壁包围每个相应的MEMS装置的组件以提供每个MEMS装置的顶部空间。下部的聚合物层可以是干膜材料或旋涂材料。在顶部空间内的和/或在顶部空间外的导柱和/或散热片可以与顶部空间壁同时形成，以支撑随后形成的顶部空间盖。把每个顶部空间分成两个或更多隔间的内置分隔器也可以与顶部空间壁同时形成。

随后，上部的聚合物干膜被应用到顶部空间壁并且被图形化以在每个MEMS装置上形成顶部空间盖。在每个MEMS装置上的顶部空间壁和顶部空间盖的组合隔离该MEMS装置的组件。在公共衬底上的相邻MEMS装置之间的划片槽远离顶部空间壁和顶部空间盖。MEMS装置可以在顶部表面上具有接合焊盘；形成顶部空间壁以便接合焊盘在顶部空间外，并且接合焊盘远离顶部空间壁和顶部空间盖。可选地，MEMS装置可以具有贯穿衬底通孔(TSV，through-substrate-via)，其中在衬底的底部表面上具有接合焊盘；在此情况下，顶部空间壁和顶部空间盖可以延伸到MEMS装置的边缘。

随后，使MEMS装置单片化以提供单独的MEMS装置。在单片化之后，MEMS装置可以使用封装材料(如塑封材料)封装。