[发明专利]薄膜压力传感器有效
| 申请号： | 201510504678.8 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105021341B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 雷卫武 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;G01L19/04 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 李亚东;周娇娇 |
| 地址： | 102101 北京市八达岭经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜压力传感器 电阻温度系数 圆形金属 应变电阻 灵敏度 氮化镓 硫化钐 砷化镓 传感器 制备 惠斯通电桥电路 温度稳定性 质量百分比 中心轴对称 光刻工艺 敏感材料 敏感电阻 稀土元素 引线焊盘 应变因子 优良性能 真空镀膜 保护膜 绝缘膜 电阻 减小 薄膜 保留 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜压力传感器，其特征在于，包括一个圆形金属弹性体(1)，所述圆形金属弹性体(1)上采用真空镀膜的方法依次制备有绝缘膜(3)、应变电阻(4)、引线焊盘(5)和保护膜(6)；所述应变电阻(4)采用砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种制备成薄膜，并在其中加入质量百分比小于5％的硅、硫、多种稀土元素，使其电阻温度系数不大于±0.001％FS/℃，通过光刻工艺形成四个敏感电阻在所述圆形金属弹性体(1)上按中心轴对称分布构成惠斯通电桥电路；
其中，所述稀土元素为钇、镧、铈、镨、钕。
2.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于，所述圆形金属弹性体(1)采用不锈钢材料或金属钛材料通过机械加工呈倒“U”型。
3.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于，所述绝缘膜(3)是由二氧化硅、三氧化二铝、碳化硅、氮化硅中的一种或多种制备而成。
4.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于，所述引线焊盘(5)是由金或者铝钴合金制备成薄膜，通过光刻工艺制造成四个焊盘。
5.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于，所述保护膜(6)是由二氧化硅制成的。
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