[发明专利]薄膜压力传感器

说明书

本发明公开了一种薄膜压力传感器，包括一个圆形金属弹性体，所述圆形金属弹性体上采用真空镀膜的方法依次制备有绝缘膜、应变电阻、引线焊盘和保护膜；所述应变电阻采用砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种制备成薄膜，通过光刻工艺形成四个敏感电阻在所述圆形金属弹性体上按中心轴对称分布构成惠斯通电桥电路。所述砷化镓、硫化钐、氮化镓中加入质量百分比小于5％的硅、硫、以及一种或多种稀土元素，降低电阻温度系数，提高电阻温度稳定性。与现有技术相比，由于敏感材料应变因子大于10，提高了传感器的灵敏度，同时又减小了电阻温度系数。传感器的灵敏度和电阻温度系数均优于同类产品，同时保留了薄膜压力传感器的其它优良性能。

技术领域

本发明涉及一种压力传感器，尤其涉及一种用半导体压力敏感材料制造的高性能薄膜压力传感器。

背景技术

薄膜压力传感器是一种性能优良的压力传感器，它是随着薄膜技术发展而诞生的一种新型传感器。由于薄膜压力传感器采用真空薄膜制备技术，使其具有综合精度高、工作温度范围宽、稳定性好、抗震动、耐腐蚀等优良特点，在武器装备、航空航天、石油化工、核工业、冶金等多个领域得到广泛应用。

目前，薄膜压力传感器的敏感电阻主要采用镍铬合金材料、氮化钽材料或者半导体纳米硅材料。由于镍铬合金应变因子低于2.5，氮化钽材料应变因子约3.5，这样采用这类应变材料制造的压力传感器灵敏度不高。采用半导体纳米硅材料制造压力传感器，虽然灵敏度提高，但硅材料的温度漂移较大，制成压力传感器后其温度性能不好，这样就限制了这类压力传感器在恶劣环境下使用。开发灵敏度高且温度漂移小的高性能压力传感器极其重要。

采用砷化镓、硫化钐、氮化镓为敏感材料制造的薄膜压力传感器能解决上述存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用砷化镓、硫化钐、氮化镓为敏感材料制造的高性能薄膜压力传感器，针对现有技术的不足，解决薄膜压力传感器灵敏度不高且温度漂移大的问题，实现在恶劣环境下对压力的精确测量。

为解决以上技术问题，本发明的技术方案是：一种高性能薄膜压力传感器，其特征在于，包括一个圆形金属弹性体，所述圆形金属弹性体上采用真空镀膜的方法依次制备有绝缘膜、应变电阻、引线焊盘和保护膜；所述应变电阻采用砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种制备成薄膜，通过光刻工艺形成四个敏感电阻在所述圆形金属弹性体上按中心轴对称分布构成惠斯通电桥电路。

所述圆形金属弹性体采用不锈钢材料或金属钛材料通过机械加工呈倒“U”型。

所述绝缘膜是由二氧化硅、三氧化二铝、碳化硅、氮化硅中的一种或多种制备而成。

所述砷化镓、硫化钐、氮化镓中加入质量百分比小于5％的硅、硫、一种或多种稀土元素，降低电阻温度系数，提高电阻温度稳定性。

所述稀土元素包括钇、镧、铈、镨、钕中的一种或多种。

所述引线焊盘是由金或者铝钴合金制备成薄膜，通过光刻工艺制造成四个焊盘。

所述保护膜是由二氧化硅制成的。

与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为：由于敏感材料采用了砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种，应变因子大于10，提高了传感器的灵敏度。同时在敏感材料中加入质量百分比小于5％的硅、硫、以及稀土钇、镧、铈、镨、钕中的一种或多种，降低电阻温度系数，提高温度稳定性，使其电阻温度系数(TCR)不大于±0.001％FS/℃。传感器的灵敏度和电阻温度系数均优于同类产品，同时保留了薄膜压力传感器的其它优良性能。

本发明的高性能薄膜压力传感器的主要性能指标如下：

测量范围：0.1～300MPa 综合精度：0.05～0.2级

介质温度范围：-250℃～300℃ 灵敏度：≥10mV/V