[发明专利]保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置

说明书

本发明提供保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。包括：晶片保持工序，将晶片正面朝上地保持于旋转工作台；液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至晶片的正面中央区域；水层形成工序，对在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水而在整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转工作台旋转，随着晶片旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，液态树脂扩散而在整个正面形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，旋转工作台以比液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向整个正面供给比液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，旋转工作台以比液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张而在整个正面形成保护膜。

技术领域

本发明涉及在半导体晶片等被加工物的加工面上覆盖保护膜的保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC(integrated circuit：集成电路)、LSI(large-scale integration：大规模集成电路)等器件。然后，通过将半导体晶片沿间隔道切断，来对形成有器件的区域进行分割，从而制造出一个个器件。

作为将这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片沿分割预定线分割的方法，提出有以下方法：通过沿着形成于晶片的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽，并沿着该激光加工槽利用机械破断装置进行切断。(例如，参照专利文献1)

可是,当沿晶片的分割预定线照射激光光线时，会产生如下所述的新的问题：热能集中于被照射的区域从而产生碎屑，该碎屑附着在器件的表面上从而使器件的质量降低。

为了消除由上述碎屑引起的问题，提出了如下所述的加工方法：在晶片的表面上覆盖聚乙烯醇(PVA)等的保护膜，穿过保护膜对晶片照射激光光线，由此使飞散的碎屑不会附着在器件上(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开平6-120334号公报

专利文献2：日本特开2004-188475号公报

作为在晶片的表面覆盖聚乙烯醇(PVA)等的保护膜的方法，采用了如下所述的技术:将晶片抽吸保持在旋转工作台上，一边使旋转工作台旋转一边将聚乙烯醇等液态树脂供给至晶片的中心部进行旋转涂覆。

可是，在通过旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中，存在这样的问题：难以在晶片的整个表面上均匀地形成保护膜，并且，被供给的液态树脂的大部分由于离心力而飞散,因此,要使用相当大的量的液态树脂,不够经济。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置，其中，在通过旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中，即使减少形成保护膜的液态树脂的供给量,也能够在晶片的表面形成均匀的保护膜。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种保护膜覆盖方法，其是在待进行激光加工的晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的方法，其特征在于，该保护膜覆盖方法包括：晶片保持工序，将晶片以该晶片的正面成为上侧的方式保持在旋转工作台上；液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片的正面中央区域处；水层形成工序，对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转工作台旋转，随着晶片的旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶片的整个正面上形成保护膜。