[发明专利]带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件的制造方法，其特征在于，该制造方法具体按以下步骤进行：

步骤1：对于第一IC芯片（1）下面没有芯片载体（9）的堆叠封装件：在铜合金引线框架（10）的上表面和下表面均涂覆形成光刻胶层（11），通过曝光显影在位于铜合金引线框架（10）上表面的光刻胶层（11）上形成焊盘图形（12），采用半蚀刻的方法在焊盘图形（12）所在位置刻蚀出凹坑（13）；采用电镀法在凹坑（13）表面依次沉积多层金属，形成凹形的金属化层（8），去掉铜合金引线框架（10）上所有的光刻胶层（11）；

对于第一IC芯片（1）下面有芯片载体（9）的堆叠封装件：在铜合金引线框架（10）的上表面和下表面均涂覆形成光刻胶层（11），通过曝光显影在位于铜合金引线框架（10）上表面的光刻胶层（11）上形成焊盘图形（12），同时，通过曝光显影在位于铜合金引线框架（10）下表面的光刻胶层（11）上形成芯片载体图形，然后，采用半蚀刻的方法在铜合金引线框架（10）上焊盘图形（12）所在位置刻蚀出凹坑（13），同时，采用半蚀刻的方法在铜合金引线框架（10）上芯片载体图形所在位置刻蚀出载体凹坑；然后，采用电镀法在凹坑（13）表面依次沉积多层金属，形成凹形的金属化层（8），同时，在载体凹坑的底面上电镀与金属化层（8）完全相同的金属层；去掉铜合金引线框架（10）上所有的光刻胶层（11）；

步骤2：通过粘片胶将第一IC芯片（1）粘贴在铜合金引线框架（10）上，再将第二IC芯片（2）粘贴在第一IC芯片（1）上，烘烤固化；

步骤3：在金属化层（8）的底面上预植一个键合球（6），键合球（6）和金属化层（8）组成凸焊点（5），然后采用铜丝拱丝拉弧依次完成第一IC芯片（1）与靠近第一IC芯片（1）的一圈键合球（6）之间、第二IC芯片（2）与远离第一IC芯片（1）的一圈键合球（6）之间、第一IC芯片（1）与第二IC芯片（2）之间的引线键合；塑封后，高温固化；

步骤4：对于第一IC芯片（1）下面没有芯片载体（9）的堆叠封装件：采用只溶解铜的蚀刻剂，化学蚀刻去掉引线框架，露出了金属化层（8）的底面和外侧面，制得带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件；

对于第一IC芯片（1）下面有芯片载体（9）的堆叠封装件：采用只溶解铜的蚀刻剂，化学蚀刻去掉引线框架，露出了金属化层（8）的底面和外侧面以及载体凹坑底部和该载体凹坑底部电镀的金属层，制得带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件。

2.根据权利要求1所述的带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件的制造方法，其特征在于，所述步骤3中，在金属化层（8）内打线时，直接将键合线打在之前预植的键合球（6）上。