[发明专利]带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明属于电子器件制造半导体封装技术领域，涉及一种带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件；本发明还涉及一种该封装件的制造方法。

背景技术

自电子器件制造业产生以来，半导体行业提供了各种各样的封装件来包封芯片并为半导体管芯提供电连接。随着移动通讯设备等新兴科技的不断发展，要求半导体封装件能够提供越来越小的封装面积，并且容纳更多的半导体管芯。就SSOP（Shrink Small Outline Package，缩小型小尺寸封装）而言，其封装厚度≥1.27mm，引脚数在10～48之间，引脚节距为0.635mm、0.65mm或1.00mm，目前大多数SSOP产品引脚节距为0.635mm或0.65mm，只有SSOP10L产品引脚节距为1.00mm。以SSOP28L产品为例，其安装面积为9.90mm×6.00mm，封装厚度达1.40mm。而在一些特殊应用中使用和设计的集成电路，如无线通讯的便携式消费类电子产品，SSOP等小外形中低端封装已不能满足使用和设计要求，业界期望能够开发一种安装面积更小、成本更低的无引脚封装技术来代替传统的SSOP封装。同时，为了使封装件实现更多的功能，产生了许多新的堆叠封装技术，在集成电路封装面积越来越趋近芯片面积的情况下，叠层封装已成为未来集成电路封装技术的发展趋势，常用的方法是将裸芯片或封装体沿Z轴方向叠层在一起。

发明内容

本发明的目的是提供一种安装面积更小、成本更低、功能更多的带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件，用于一些特殊应用的集成电路中，替代SSOP等小外形中低端封装的无引脚堆叠封装件。

本发明的另一个目的是提供一种上述堆叠封装件的制造方法。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件，包括第一IC芯片，第一IC芯片上粘贴有第二IC芯片，第一IC芯片下面粘贴有粘片胶，围绕第一IC芯片、沿远离第一IC芯片的方向依次设有两圈焊接点，每圈焊接点均由多个凸焊点组成，两圈凸焊点中远离第一IC芯片的一圈凸焊点与第二IC芯片相连，两圈凸焊点中靠近第一IC芯片的一圈凸焊点与第一IC芯片相连，第一IC芯片与第二IC芯片相连，第一IC芯片上封装有塑封体，凸焊点的外表面和第一IC芯片下面的粘片胶位于塑封体外。

或者，包括第一IC芯片，第一IC芯片上粘贴有第二IC芯片，第一IC芯片通过粘片胶粘贴于芯片载体上，围绕第一IC芯片、沿远离第一IC芯片的方向依次设有两圈焊接点，每圈焊接点均由多个凸焊点组成，两圈凸焊点中远离第一IC芯片的一圈凸焊点与第二IC芯片相连，两圈凸焊点中靠近第一IC芯片的一圈凸焊点与第一IC芯片相连，第一IC芯片与第二IC芯片相连，第一IC芯片上封装有塑封体，凸焊点的外表面、第一IC芯片下面的粘片胶和芯片载体均位于塑封体外。

本发明所采用的另一个技术方案是：一种上述带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件的制造方法，具体按以下步骤进行：

步骤1：对于第一IC芯片下面没有芯片载体的堆叠封装件：在铜合金引线框架的上表面和下表面均涂覆形成光刻胶层，通过曝光显影在位于铜合金引线框架上表面的光刻胶层上形成焊盘图形，采用半蚀刻的方法在焊盘图形所在位置刻蚀出凹坑；采用电镀法在凹坑表面依次沉积多层金属，形成凹形的金属化层，去掉铜合金引线框架上所有的光刻胶层；

对于第一IC芯片下面有芯片载体的堆叠封装件：在铜合金引线框架的上表面和下表面均涂覆形成光刻胶层，通过曝光显影在位于铜合金引线框架上表面的光刻胶层上形成焊盘图形，同时，通过曝光显影在位于铜合金引线框架下表面的光刻胶层上形成芯片载体图形，然后，采用半蚀刻的方法在铜合金引线框架上焊盘图形所在位置刻蚀出凹坑，同时，采用半蚀刻的方法在铜合金引线框架上芯片载体图形所在位置刻蚀出载体凹坑；然后，采用电镀法在凹坑表面依次沉积多层金属，形成凹形的金属化层，同时，在载体凹坑的底面上电镀与金属化层完全相同的金属层；去掉铜合金引线框架上所有的光刻胶层；

步骤2：通过粘片胶将第一IC芯片粘贴在铜合金引线框架上，再将第二IC芯片粘贴在第一IC芯片上，烘烤固化；

步骤3：在金属化层的底面上预植一个键合球，键合球和金属化层组成凸焊点，然后采用铜丝拱丝拉弧依次完成第一IC芯片与靠近第一IC芯片的一圈键合球之间、第二IC芯片与远离第一IC芯片的一圈键合球之间、第一IC芯片与第二IC芯片之间的引线键合；塑封后，高温固化；