[发明专利]一种防霉抗菌聚酯薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510511694.X 申请日: 2015-08-19
公开(公告)号: CN105082693B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 董兴广;林树光;刘振 申请(专利权)人: 树业环保科技股份有限公司
主分类号: B32B27/08 分类号: B32B27/08;B32B27/36
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 代理人: 廖晓霞
地址: 515828 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 防霉 抗菌 聚酯 薄膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于高分子薄膜技术领域,涉及一种防霉抗菌聚酯薄膜及其制备方法。

背景技术

目前,随着科技的进步和人们对生活质量要求的提高,对食品卫生和身体健康越来越重视,在我们生活环境中,又无可避免的会接触到一些真菌和细菌,所以,抗菌的食品及药品包装薄膜受到大家的喜爱。

在目前的抗菌薄膜产品中,通常需要的方式有两种,一种是无机抗菌剂与树脂共混做成母料,再与聚酯切片按照一定的比例混合生产,这种方式生产的抗菌薄膜,抗菌效果良好,但是无机添加剂与树脂的结合性差,事实上对后期的薄膜生产相当不利;另外一种是有机抗菌剂,此种制备方法制造的抗菌薄膜,杀菌速度快,适用范围广,但是有机抗菌剂的耐热性差,容易失效。

发明内容

本发明为弥补现有技术的不足,提供一种抗菌效果良好的防霉抗菌聚酯薄膜。

本发明为达到其目的,采用的技术方案如下:一种防霉抗菌聚酯薄膜,包括芯层、及分别复合于芯层上下表面的上表层和下表层,所述上表层主要由结晶型PET均聚物和纳米无机物改性的结晶型PET共聚物组成,所述芯层主要由结晶型PET均聚物组成,所述下表层主要由用纳米无机物及纳米氧化物改性的结晶型PET共聚物组成,或,所述下表层主要由结晶型PET均聚物和用纳米无机物及纳米氧化物改性的结晶型PET共聚物组成。

优选的,上表层中的结晶型PET均聚物、纳米无机物改性的结晶型PET共聚物的质量百分比分别为50-90%、10~50%;下表层中的结晶型PET均聚物、用纳米无机物及纳米氧化物改性的结晶型PET共聚物的质量百分比分别为0~30%、70-100%。

具体的,所述纳米无机物改性的结晶型PET共聚物为纳米无机物、对苯二甲酸、间苯二甲酸、乙二醇按照质量比1.0-2.5:50-63:3-10:20-40共聚得到的结晶型聚酯共聚物。

进一步的,所述纳米无机物改性的结晶型PET共聚物按照包括如下步骤的方法制备:将纳米无机物、对苯二甲酸、间苯二甲酸、乙二醇混合,在压力0.1~0.15MPa、温度255~270℃条件下进行酯化反应100~150min;而后在真空度30~50pa、温度275~285℃条件下进行缩聚反应,反应时间为3~4h。

具体的,所述用纳米无机物及纳米氧化物改性的结晶型PET共聚物为纳米无机物、纳米氧化物、对苯二甲酸、间苯二甲酸、乙二醇按照质量比0.5-10:3.0-7.0:50-70:1-10:20-40共聚得到的结晶型聚酯共聚物。

进一步的,所述用纳米无机物及纳米氧化物改性的结晶型PET共聚物按照包括如下步骤的方法制备:将纳米无机物、纳米氧化物、对苯二甲酸、间苯二甲酸、乙二醇混合,在压力0.1~0.15MPa、温度255~270℃下进行酯化反应100~150min;而后在真空度30~50pa、温度275~285℃条件下进行缩聚反应,反应时间为3~4h。

优选的,所述结晶型PET均聚物为大有光聚酯切片,具体如仪化公司生产的FG600、三房巷公司生产的聚酯切片5011等。

优选的,所述结晶型PET均聚物的熔点为256~262℃,特性黏度为0.66~0.70dl/g;所述纳米无机物改性的结晶型PET共聚物的熔点为252~262℃,特性黏度为0.66~0.70dl/g;所述纳米无机物及纳米氧化物改性的结晶型PET共聚物的熔点为250~265℃,特性黏度为0.56~0.62dl/g。

优选的,所述纳米无机物为纳米硅酸钠、纳米SiO2、纳米碳酸钙和纳米蒙脱土中的至少一种;所述纳米氧化物为纳米氧化银、纳米氧化锌、纳米氧化铜中的至少一种;所述纳米无机物的粒径为100~700nm,更优选为200~500nm;所述纳米氧化物的粒径为100~800nm,更优选为100~300nm。

优选的,防霉抗菌聚酯薄膜的密度为1.35~1.42g/m2,厚度为15~30μm;上表层、下表层的厚度为1.5~3μm。

本发明第二方面提供一种制备如上文所述的防霉抗菌聚酯薄膜的方法,包括如下步骤:

1)以结晶型PET均聚物为芯层原料,经预结晶、干燥处理后,在260~280℃下熔融,用单螺杆挤出机挤出;

2)以结晶型PET均聚物和纳米无机物改性的结晶型PET共聚物的混合物作为上表层原料,经预结晶、干燥处理后,在260~280℃下熔融,用单螺杆挤出机挤出;

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