[发明专利]浮栅型闪存结构及其制备方法

权利要求书

1.一种浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底上设置有浮栅区域和非浮栅区域；

于所述浮栅区域中形成浮栅，且所述浮栅的侧壁设置有凸起结构；

于所述衬底上依次形成ONO层和控制栅，所述ONO层隔离所述浮栅和所述控制栅；

去除位于所述非浮栅区域的所述控制栅、ONO层以形成所述浮栅型闪存；

其中，所述浮栅由浮栅多晶硅形成；

于所述衬底上形成土字形的浮栅的具体步骤为：

于所述衬底上沉积辅助层，所述辅助层按照从下至上的顺序依次包括第一氮化硅层/第一氧化硅层/第二氮化硅层/第二氧化硅层；

刻蚀位于所述浮栅区域中的所述辅助层至所述衬底的上表面形成凹槽；

从所述凹槽中部分刻蚀所述第一氮化硅层和第二氮化硅层，使得所述第一氮化硅层和第二氮化硅层沿垂直于所述凹槽延伸的方向缩进预定长度；

沉积浮栅多晶硅层充满所述凹槽；

并于移除位于所述辅助层上方的浮栅多晶硅后去除所述辅助层，剩余的浮栅多晶硅层形成侧壁设置有凸起结构的所述浮栅。

2.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除位于所述浮栅区域中的所述辅助层至所述衬底的上表面形成凹槽。

3.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，从所述凹槽中采用湿法刻蚀工艺部分刻蚀所述第一氮化硅层和第二氮化硅层，使得所述第一氮化硅层和第二氮化硅层沿垂直于所述凹槽延伸的方向缩进预定长度。

4.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为P型硅衬底。

5.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，去除位于所述非浮栅区域中的所述控制栅、ONO层后，还包括形成器件电极的步骤。

6.如权利要求5所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，向所述衬底进行源漏离子注入并退火以形成所述器件电极。

7.一种浮栅型闪存结构，采用上述权利要求1-6任意一项所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，包括：

衬底；

遂穿氧化层，覆盖所述衬底的上表面；

浮栅，设置于所述遂穿氧化层的上表面；

ONO层，覆盖所述浮栅暴露的表面；

控制栅，覆盖所述ONO层暴露的表面；

其中，所述浮栅的侧壁上设置有凸起结构，以增大所述浮栅与所述控制栅之间的耦合比；所述浮栅由浮栅多晶硅形成；位于所述浮栅两侧的衬底中还设置有源漏极；所述衬底为P型硅衬底。