[发明专利]浮栅型闪存结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510512865.0 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105118866B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浮栅 闪存结构 制备 半导体制造技术 棱台状凸起 擦除效率 控制栅 耦合比 写入 | ||
1.一种浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底上设置有浮栅区域和非浮栅区域；
于所述衬底上形成具有棱台状凸起的浮栅，且所述棱台状凸起位于所述浮栅区域中；
在所述浮栅上依次沉积ONO层和控制栅；
去除位于所述非浮栅区域的所述控制栅、ONO层和浮栅以形成所述浮栅型闪存；
于所述衬底上形成具有棱台状凸起的浮栅的具体步骤为：
于所述衬底上按照从下至上的顺序依次形成遂穿氧化层、浮栅多晶硅层和二氧化硅层；
去除位于所述非浮栅区域的所述二氧化硅层，形成棱台状的二氧化硅薄膜；
去除所述二氧化硅薄膜，形成所述具有棱台状凸起的浮栅。
2.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，利用光刻和湿法刻蚀工艺去除位于所述非浮栅区域的所述二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，利用二氧化硅和多晶硅蚀刻率相同的干法程式去除所述二氧化硅薄膜，形成所述具有棱台状凸起的浮栅。
4.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为P型硅衬底。
5.如权利要求1所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，去除位于所述非浮栅区域的所述控制栅、ONO层和浮栅后，还包括形成器件电极的步骤。
6.如权利要求5所述的浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，向所述衬底进行源漏离子注入并退火以形成所述器件电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510512865.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车发动机翻转架
- 下一篇：一种练字工具
- 同类专利
- 专利分类
