[发明专利]门多萨假单胞菌NX-1及其在正己烷降解中的应用有效
申请号: | 201510513868.6 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN105087440B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 陈东之;陈建孟;江宁馨;叶杰旭 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C02F3/34;C12R1/38;C02F101/32 |
代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人: | 黄美娟;李世玉 |
地址: | 310014 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 门多萨假单胞菌 nx 及其 己烷 降解 中的 应用 | ||
1.门多萨假单胞菌(Pseudomonas mendocina)NX-1,保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏日期为2015年3月15日,保藏编号:CCTCC NO:M2015114,地址:中国,武汉,武汉大学,邮编430072。
2.一种权利要求1所述的门多萨假单胞菌NX-1在微生物降解正己烷中的应用。
3.如权利要求2所述的应用,其特征在于所述的应用为:将门多萨假单胞菌NX-1经种子培养基培养所获得的菌液作为酶源,以正己烷为底物,于无机盐培养基中,在pH=4~10、20℃~40℃、100~200rpm条件下进行降解反应,实现对正己烷的降解;所述无机盐培养基终浓度组成如下:Na
4.如权利要求3所述的应用,其特征在于所述正己烷在无机盐培养基中初始浓度为20~800mg/L。
5.如权利要求3所述的应用,其特征在于所述酶源用量以无机盐培养基中OD
6.如权利要求3所述的应用,其特征在于所述酶源按如下步骤制备:
1)斜面培养:将门多萨假单胞菌NX-1接种于R
2)种子培养:用接种环挑取步骤(1)获得的斜面菌体接种至含终浓度100~400mg/L正己烷的种子培养基中,30~32℃,培养36~38h,获得OD
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学,未经浙江工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510513868.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。