[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

芯片，具有多个连接焊盘；

多个柱，形成在所述芯片上并且连接至所述芯片；

组件，具有多个金属盖，所述金属盖与所述芯片的所述连接焊盘接触；以及

再分布层，形成在绝缘层中并且通过所述柱连接至所述芯片，其中，所述绝缘层与所述芯片之间的距离等于所述柱的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述组件包括集成无源器件。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

底部填充物，围绕所述连接焊盘和所述组件的所述金属盖。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述组件的厚度为30微米至80微米。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述组件在一侧上具有所述金属盖且在另一侧上具有研磨的表面。

6.一种半导体封装件，包括：

芯片，具有多个连接焊盘；

多个柱，形成在所述芯片上；以及

组件，在一侧上具有多个金属盖，并且在另一侧上具有研磨的表面，其中，所述金属盖与所述芯片的所述连接焊盘接触；

再分布层，形成在绝缘层中并且通过所述柱连接至所述芯片，其中，所述绝缘层与所述芯片之间的距离等于所述柱的厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述组件包括集成无源器件。

8.根据权利要求6所述的半导体封装件，还包括：

底部填充物，围绕所述连接焊盘和所述组件的所述金属盖。

9.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述组件的厚度为30微米至80微米。

10.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述组件通过所述金属盖和所述连接焊盘电连接至所述芯片。

11.一种形成半导体封装件的方法，所述半导体封装件包括芯片和组件，所述方法包括：

在载体上方提供临时接合层；

在所述临时接合层上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方提供粘合层；

在所述粘合层上方提供所述芯片；

在所述芯片上方提供多个连接焊盘；

将具有多个金属凸块和金属盖的所述组件连接至所述连接焊盘；

在所述组件上方和邻近所述芯片处过模制模塑料；以及

研磨所述模塑料和所述组件以减小所述组件的厚度。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述芯片上方提供柱；

在所述柱上方过模制所述模塑料；以及

研磨所述模塑料以暴露所述柱。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，将具有所述金属凸块和所述金属盖的所述组件连接至所述连接焊盘还包括：

在所述连接焊盘上方拾取和放置所述组件。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

提供连接至所述柱的再分布层。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，将具有所述金属凸块和所述金属盖的所述组件连接至所述连接焊盘还包括：

将集成无源器件连接至所述连接焊盘。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述临时接合层上方形成所述绝缘层还包括：

在所述临时接合层上方形成由聚合物制成的所述绝缘层。