[发明专利]一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路、驱动系统、驱动方法及空调

权利要求书

1.一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，包括两级驱动电路，分别为第一级驱动电路和第二级驱动电路；所述第一级驱动电路与所述第二级驱动电路电连接；

所述第一级驱动电路用于将控制器MCU的I/O驱动电平转换为特定驱动电平；

所述第二级驱动电路用于确保驱动目标IGBT/MOSFET饱和导通。

2.根据权利要求1所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，所述第一级驱动电路包括电阻R221、电阻R222、电阻R223、电阻R224和晶体管Q204；所述晶体管Q204为NPN型；

所述电阻R221的一端电连接至管脚PFC_PWM，所述管脚PFC_PWM是前级控制器MCU的管脚，所述电阻R221的另一端电连接至所述晶体管Q204的基极；所述电阻R222的一端电连接至电源，另一端电连接至所述晶体管Q204的基极；所述电阻R223的一端电连接至所述晶体管Q204的基极，另一端与所述第二级驱动电路电连接；所述电阻R224的一端电连接至电源，另一端电连接至所述晶体管Q204的集电极；所述晶体管Q204的发射极接地。

3.根据权利要求2所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，所述第二级驱动电路包括电阻R225、电阻R226、晶体管Q205、晶体管Q206、晶体管Q207、二极管D201和稳压二极管ZD201；所述晶体管Q205为PNP型，所述晶体管Q206为NPN型，所述晶体管Q207为IGBT管；

所述晶体管Q206的基极电连接至所述晶体管Q204的集电极，所述晶体管Q206的集电极电连接至电源，所述晶体管Q206的发射极电连接至所述晶体管Q205的发射极；所述晶体管Q205的基极电连接至所述晶体管Q204的集电极，所述晶体管Q205的集电极接地；所述电阻R225的一端电连接至所述晶体管Q206的发射极，另一端电连接至所述晶体管Q207的门极；所述电阻R226的一端电连接至所述晶体管Q207的门极，另一端电连接至所述晶体管Q207的发射极；所述二极管D201的正极电连接至所述晶体管Q207的门极，所述二极管D201的负极电连接至所述晶体管Q206的发射极；所述稳压二极管ZD201的正极电连接至所述晶体管Q207的发射极，所述稳压二极管ZD201的正极电连接至所述晶体管Q207的门极；所述晶体管Q207的集电极电连接至直流电压，所述晶体管Q207的发射极接地。

4.根据权利要求3所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，所述电阻R223的另一端与所述第二级驱动电路电连接具体为所述电阻R223的另一端电连接至所述晶体管Q205的集电极。

5.根据权利要求1所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，所述特定驱动电平的取值范围为15V-18V。

6.根据权利要求2所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，分压在所述晶体管Q204基极上的电压不能超过所述晶体管Q204的开通阀值。

7.根据权利要求2所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，其特征在于，流经所述管脚PFC_PWM的电压值和电流值不能超出所述管脚PFC_PWM的特定电压范围和特定电流范围。

8.一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动系统，包括权利要求1-7任一项所述反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，还包括控制器MCU和驱动目标IGBT/MOSFET；所述控制器MCU、所述反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路和所述驱动目标IGBT/MOSFET依次相连。

9.一种权利要求8所述反逻辑IGBT/MOSFET驱动系统的驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，使用所述第一级驱动电路将低压的所述控制器MCU的I/O驱动电平转换为特定驱动电平；

步骤S2，使用所述第二级驱动电路确保所述驱动目标IGBT/MOSFET饱和导通。

10.一种空调，其特征在于，包括权利要求8所述的反逻辑IGBT/MOSFET驱动系统。