[发明专利]一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路、驱动系统、驱动方法及空调

说明书

技术领域

本发明涉及空调控制领域，尤其涉及一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路、驱动系统、驱动方法及空调。

背景技术

传统的空调控制器，由于MCU的I/O口输出电压比较低，带载能力比较弱，不适合直接驱动大电流的IGBT/MOSFET，所以必须经过转换电路，以保证IGBT/MOSFET工作于饱和区。常规做法是：MCU的I/O产生PWM输出，一般为3.3V或者5V驱动电平，经过专用集成驱动IC，转换为15V输出电平驱动信号，对IGBT/MOSFET进行驱动控制，使用专用集成驱动IC对IGBT/MOSFET进行驱动的原理图如图1所示。

由于集成驱动IC是专用器件，对于控制器电路设计商来说，会面临驱动IC使用环境单一、容易受到供货限制、采购价格高昂等问题的困扰。另外，若先前所使用的驱动IC退出市场，则控制器电路设计商更不得不重新选定替代产品并重新研发，由此会带来一系列不可预估的损失。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单的反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路、驱动系统、驱动方法及空调。

本发明解决上述技术问题的第一种技术方案如下：一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，包括两级驱动电路，分别为第一级驱动电路和第二级驱动电路；所述第一级驱动电路与所述第二级驱动电路电连接；

所述第一级驱动电路用于将控制器MCU的I/O驱动电平转换为特定驱动电平；

所述第二级驱动电路用于确保驱动目标IGBT/MOSFET饱和导通。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述第一级驱动电路包括电阻R221、电阻R222、电阻R223、电阻R224和晶体管Q204；所述晶体管Q204为NPN型；

所述电阻R221的一端电连接至管脚PFC_PWM，所述管脚PFC_PWM是前级控制器MCU的管脚，所述电阻R221的另一端电连接至所述晶体管Q204的基极；所述电阻R222的一端电连接至电源，另一端电连接至所述晶体管Q204的基极；所述电阻R223的一端电连接至所述晶体管Q204的基极，另一端与所述第二级驱动电路电连接；所述电阻R224的一端电连接至电源，另一端电连接至所述晶体管Q204的集电极；所述晶体管Q204的发射极接地。

进一步，所述第二级驱动电路包括电阻R225、电阻R226、晶体管Q205、晶体管Q206、晶体管Q207、二极管D201和稳压二极管ZD201；所述晶体管Q205为PNP型，所述晶体管Q206为NPN型，所述晶体管Q207为IGBT管；

所述晶体管Q206的基极电连接至所述晶体管Q204的集电极，所述晶体管Q206的集电极电连接至电源，所述晶体管Q206的发射极电连接至所述晶体管Q205的发射极；所述晶体管Q205的基极电连接至所述晶体管Q204的集电极，所述晶体管Q205的集电极接地；所述电阻R225的一端电连接至所述晶体管Q206的发射极，另一端电连接至所述晶体管Q207的门极；所述电阻R226的一端电连接至所述晶体管Q207的门极，另一端电连接至所述晶体管Q207的发射极；所述二极管D201的正极电连接至所述晶体管Q207的门极，所述二极管D201的负极电连接至所述晶体管Q206的发射极；所述稳压二极管ZD201的正极电连接至所述晶体管Q207的发射极，所述稳压二极管ZD201的正极电连接至所述晶体管Q207的门极；所述晶体管Q207的集电极电连接至直流电压，所述晶体管Q207的发射极接地。

进一步，所述电阻R223的另一端与所述第二级驱动电路电连接具体为所述电阻R223的另一端电连接至所述晶体管Q205的集电极。

进一步，所述特定驱动电平的取值范围为15V-18V。

进一步，分压在所述晶体管Q204基极上的电压不能超过所述晶体管Q204的开通阀值。

进一步，流经所述管脚PFC_PWM的电压值和电流值不能超出所述管脚PFC_PWM的特定电压范围和特定电流范围。

本发明解决上述技术问题的第二种技术方案如下：一种反逻辑IGBT/MOSFET驱动系统，包括所述反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路，还包括控制器MCU和驱动目标IGBT/MOSFET；所述控制器MCU、所述反逻辑IGBT/MOSFET驱动电路和所述驱动目标IGBT/MOSFET依次相连。

本发明解决上述技术问题的第三种技术方案如下：一种所述反逻辑IGBT/MOSFET驱动系统的驱动方法，包括以下步骤：