[发明专利]一种恩他卡朋A型晶的制备方法在审
申请号: | 201510522323.1 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN105061259A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 王飞;邓祥林;罗礼平;代毅;谢侨;余佳;黄燕梅;刘小伟 | 申请(专利权)人: | 重庆植恩药业有限公司 |
主分类号: | C07C255/41 | 分类号: | C07C255/41;C07C253/34 |
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地址: | 400039 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 方法 | ||
1.一种用于制备恩他卡朋A型晶的方法,其包括以下步骤:
a.C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇加热溶解恩他卡朋粗品;
b降温,冷却,进行抽滤,减压干燥。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述的C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇中的C1-C4烷醇选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、或正丁醇。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其中,所述的C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇中的C1-C4烷醇选自甲醇、乙醇、正丙醇、或异丙醇。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,步骤a中C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇体积与恩他卡朋粗品的重量比为7~20:1。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其中,步骤a中所述加热溶解恩他卡朋粗品的温度为50~100℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其中,步骤b中所述降温为30~40min降温至20-40°C。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述冷却过程为20~35min内冷却至-5°C至15°C。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其中,所述冷却过程为20~35min内冷却至0-10°C。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其中,减压干燥的温度为35~60℃。
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