[发明专利]一种恩他卡朋A型晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510522323.1 申请日: 2015-08-25
公开(公告)号: CN105061259A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 王飞;邓祥林;罗礼平;代毅;谢侨;余佳;黄燕梅;刘小伟 申请(专利权)人: 重庆植恩药业有限公司
主分类号: C07C255/41 分类号: C07C255/41;C07C253/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400039 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于药物化学技术领域,涉及一种恩他卡朋A型晶的制备工艺,该晶型为恩他卡朋的药用晶型。

背景技术

恩他卡朋属于儿茶酚-O-甲基转移酶(COMT)抑制剂,它是一种可逆的、特异性的、主要作用于外周的COMT抑制剂,与左旋多巴制剂同时使用。本品通过抑制COMT酶减少左旋多巴代谢为3-氧位-甲基多巴(3-OMD),这使左旋多巴的生物利用度增加,并增加了脑内可利用的左旋多巴总量,这种作用已在临床试验中得到证实。临床试验显示,左旋多巴加用本品可延长开的时间达16%,缩短关的时间达24%。本品主要抑制周围组织中的COMT。红细胞内的COMT抑制作用与本品的血浆浓度密切相关,而体现了COMT抑制作用的可逆性。

同一药物的不同晶型在外观、溶解度、熔点、溶出度、生物有效性等方面可能会有显著不同,从而影响了药物的稳定性、生物利用度及疗效,该种现象在口服固体制剂方面表现得尤为明显。药物多晶型现象是影响药品质量与临床疗效的重要因素之一,因此对存在多晶型的药物进行研发以及审评时,应对其晶型分析予以特别的关注。

专利国际申请WO2007135406A2公开的恩他卡朋晶型有α型、β型、γ型、ε型、δ型、ζ型,美国专利US5135950A公开的恩他卡朋晶型有A型晶,专利国际申请WO2005066117A1公开的恩他卡朋晶型有C型、D型,美国专利申请US2008076825A1公开的恩他卡朋晶型有E型,中国专利申请CN200880004234.6公开了恩他卡朋G型晶。

Orion-yhtym?公司在美国专利US5135950A中公开了恩他卡朋A型晶的制备方法,其主要制备工艺如下:

将恩他卡朋粗品加入含有1%氢溴酸的乙酸中,加热至回流溶解。缓慢降温至20℃,保温搅拌20小时,再降温至15℃,保温搅拌6小时,抽滤,用乙酸及甲苯洗涤,45℃减压干燥,收率80%。

该方法使用的溶剂对人体的刺激性强,毒性大,析晶时间长,造成生产成本过高等缺点。

发明内容

本发明人在恩他卡朋A型晶的制备过程中,发现采用醇类或含水醇类,替代含有1%氢溴酸的乙酸对产品进行重结晶,不仅得到恩他卡朋A型晶,而且,仅需在溶解样品后自然降温、冷却、过滤即得目标产物,克服了现有技术用刺激性强的溶剂溶解、冷却,析晶26小时,过滤等操作才能获得目标产品,生产周期长,对人体的刺激性强,生产成本较高。

本发明的目的是提供一种用制备恩他卡朋A型晶的新方法,该方法大幅缩短了后处理时间,缩短了生产周期,降低了生产综合成本及溶剂对人体的刺激性,更适宜工业化生产。同时,本方法通过控制降温速度消除了US5135950A使用低碳数醇类产生的混晶现象,所得产品的X衍射数据、红外吸收数据与US5135950A完全吻合,确认了产品的晶型为A型晶。

具体而言,本发明提供了一种用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其包括以下步骤:

a.C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇加热溶解恩他卡朋粗品;

b.降温,冷却,进行抽滤,减压干燥。

在本发明的实施方案中,本发明提供的用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其中,步骤a中所述的C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇中的C1-C4烷醇选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、或正丁醇,优选地,选自甲醇、乙醇、正丙醇、或异丙醇。所述含水的C1-C4烷醇是指70-99体积%的C1-C4烷醇水溶液,优选地为80-99体积%的C1-C4烷醇水溶液,特别优选地为95体积%的乙醇水溶液。

在本发明的实施方案中,本发明提供的用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其中,步骤a中恩他卡朋粗品可根据CN200880004234.6实施实例制备得到。

在本发明的实施方案中,本发明提供的用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其中,步骤a中C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇体积与恩他卡朋粗品的重量比为7~20:1。

在本发明的实施方案中,本发明提供的用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其中,步骤a中加热的温度为50-100°C,优选地,加热温度至C1-C4烷醇或含水的C1-C4烷醇的回流温度。

在本发明的实施方案中,本发明提供的用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其中,步骤b的降温为30~40min降温至20-40°C,20~35min内再冷却至-5°C至15°C,优选地为0-10°C。

在本发明的实施方案中,本发明提供的用于恩他卡朋A型晶的制备方法,其中,步骤b减压干燥的温度为35~60°C。

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