[发明专利]状态期间的子脉冲有效
申请号: | 201510523879.2 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN105391427B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 约翰·C·小瓦尔考;哈梅特·辛格;布拉德福德·J·林达克尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H03K3/02 | 分类号: | H03K3/02;H01J37/36 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 状态 期间 脉冲 | ||
本发明涉及状态期间的子脉冲,描述了一种用于在状态期间实现子脉冲的方法。所述方法包括:从时钟源接收时钟信号,所述时钟信号具有两个状态;并且从所述时钟信号产生脉冲信号。所述脉冲信号在所述状态之一内具有子状态。所述子状态以大于所述状态的频率的频率彼此相对交替。所述方法包括提供所述脉冲信号以控制由射频发生器产生的射频(RF)信号的功率。所述功率被控制成与所述脉冲信号同步。
技术领域
本实施例涉及在射频(RF)发生器的状态期间建立子脉冲。
背景技术
等离子体室用于执行各种加工,例如,蚀刻、沉积等。例如,当给等离子体室供电时,将气体供应到等离子体室。当气体在等离子体室中时,等离子体在通电时被激励。等离子体用于蚀刻衬底或用于清洁等离子体室。另外,通过使用进入室中的液体或气体流,在衬底上沉积材料。
然而,控制这个过程是一个很困难的任务。例如,衬底上的材料蚀刻太多或太少。又如,沉积在衬底上的层具有比期望较大的厚度,或具有比期望较小的厚度。
在这个背景下出现了本发明描述的实施例。
发明内容
本发明的实施例提供了用于状态内的子脉冲的设备、方法和计算机程序。应当理解,可以通过多种方式来实施本实施例,例如,过程、设备、系统、装置或计算机可读的介质上的方法。以下描述了几个实施例。
在一些实施例中,描述了一种用于在状态期间实现子脉冲的方法。所述方法包括:从时钟源接收时钟信号,所述时钟信号具有两个状态;并且从所述时钟信号产生脉冲信号。所述脉冲信号在所述状态之一内具有子状态。所述子状态以大于所述状态的频率的频率彼此相对交替。所述方法包括提供所述脉冲信号以控制由射频发生器产生的射频(RF)信号的功率。所述功率被控制成与所述脉冲信号同步。
在各种实施例中,描述了射频发生器。所述射频发生器包括处理器。所述处理器接收来自时钟源的时钟信号。所述时钟信号具有两个状态。所述处理器从所述时钟信号产生脉冲信号。所述脉冲信号在所述状态之一内具有子状态。所述子状态具有大于所述状态的频率的频率。所述处理器提供所述脉冲信号以控制射频信号的功率。所述功率被控制成与所述脉冲信号同步。所述射频发生器包括耦合至所述处理器的射频电源。所述射频电源产生射频信号,所述射频信号具有用于经由阻抗匹配电路提供所述射频信号到等离子体室的功率。
在各种实施例中,描述了一种等离子体系统。所述等离子体系统包括接收来自时钟源的时钟信号的处理器。所述时钟信号具有两个状态。所述处理器从所述时钟信号产生脉冲信号。所述脉冲信号在所述状态之一内具有子状态,所述子状态具有大于所述状态的频率的频率。所述处理器提供所述脉冲信号以控制射频(RF)信号的功率。所述功率被控制成与所述脉冲信号同步。所述等离子体系统进一步包括射频电源,其用于产生具有所述功率的射频信号。所述等离子体系统还包括耦合至所述射频电源的射频电缆。所述等离子体系统包括阻抗匹配电路,所述阻抗匹配电路耦合至所述射频电源,用于经由射频电缆接收所述射频信号。所述阻抗匹配电路使耦合至所述阻抗匹配电路的负载的阻抗与耦合至所述阻抗匹配电路的源的阻抗匹配以从所述射频信号产生修改的射频信号。所述等离子体系统包括等离子体室,所述等离子体室耦合至所述阻抗匹配电路,用于接收改变等离子体阻抗的所述修改的射频信号。
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