[发明专利]制备钨铼基钡钨阴极的方法有效
申请号: | 201510524159.8 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN105118760B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 王小霞;漆世锴;胡明炜;赵青兰;李云;张琪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H01J9/04 | 分类号: | H01J9/04;H01J19/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 钨铼基钡钨 阴极 方法 | ||
1.一种制备钨铼基钡钨阴极的方法,其特征在于,包括:
步骤A:制备NH4ReO4水溶液;
步骤B:将多孔W基底浸入所述NH4ReO4水溶液中,使所述多孔W基底吸附NH4ReO4;
步骤C:对吸附NH4ReO4后的多孔W基底进行烘烤、烧结,使其转化为W-Re基底;以及
步骤D:在W-Re基底中浸入铝酸盐并覆膜制备阴极,完成钨铼基钡钨阴极的制备;
其中,所述步骤C中,所述烘烤为在真空气氛中烘烤,所述烧结为在氢气气氛下烧结,所述步骤C包括:
将多孔W基底放入真空炉中,在烘烤温度下烘烤30分钟;以及
将烘烤后的多孔W基底置于氢气炉中,在第一烧结温度下烧结10分钟,第二烧结温度下烧结10分钟,使吸附NH4ReO4后的多孔W基底转化为W-Re基底;
其中,所述烘烤温度介于450℃至550℃之间,所述第一烧结温度介于950℃至1050℃之间,所述第二烧结温度为1250℃。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤A的NH4ReO4水溶液中,NH4ReO4溶剂和水的质量比介于1:15至1:5之间。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,NH4ReO4溶剂和水的质量比为1:10。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤B中,所述多孔W基底为由烧结得到的多孔W基底,其孔度介于18%至30%之间。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述步骤B包括:将孔度为21%的直径为2.5mm的多孔W基底浸入NH4ReO4水溶液中1分钟,取出烘干,再浸入再烘干,重复3~5次,直至W孔中浸足量的NH4ReO4。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述步骤D中,铝酸盐是BaCO3、CaCO3、Al2O3烧结合成的多钡铝酸盐。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述BaCO3:CaCO3:Al2O3的分子比为3:1:1,烧结后主要相为Ba5CaAl4O12的铝酸盐。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述步骤D包括:
将W-Re基底没入铝酸盐粉末中置于氢气炉中,在1600℃至1700℃保温30秒,使铝酸盐融化并浸入到W-Re基底孔中;以及
去掉W-Re基底表面的残余盐,在W-Re基底表面覆一层至的Os膜或Os-W膜。
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