[发明专利]一种逆导型IGBT器件在审
| 申请号： | 201510524523.0 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105206656A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;郭绪阳;张明;陈文梅;伍济;陈钱;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/47;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 | ||
1.一种逆导型IGBT器件，其元胞结构包括N-漂移区(8)、位于N-漂移区(8)上层的发射极结构和栅极结构和位于N-漂移区(8)下层的集电极结构；所述栅极结构为沟槽栅，包括栅氧化层(7)和位于栅氧化层(7)中的多晶硅栅电极(3)；所述发射极结构位于两个沟槽栅之间，包括发射极金属(2)、N+发射区(4)、P型基区(5)和P+区(6)；所述N+发射区(4)位于P型基区(5)中，N+发射区(4)和P型基区(5)与栅氧化层连接；所述P+区(6)与P型基区(5)连接；所述发射极金属(2)位于N+发射区(4)和P+区(6)的上表面；所述集电极结构包括P+集电区(11)、N+集电极短路区(12)和金属集电极(13)；所述P+集电区(11)和N+集电极短路区(12)并列位于金属集电极(13)的上表面；所述P+集电区(11)和N+集电极短路区(13)的上表面与N-漂移区(8)之间具有N型电场阻止层(9)；其特征在于，所述P+区(6)之间的N-漂移区(8)上表面具有肖特基金属(1)，所述肖特基金属(1)与发射极金属(2)连接；所述集电极结构还包括N-区(10)，所述N-区(10)位于N型电场阻止层(9)与N+集电极短路区(12)和部分P+集电区(11)之间。
2.根据权利要求1所述的一种逆导型IGBT器件，其特征在于，所述发射极肖特基金属(1)的材料采用钨、钛或者铂。
3.根据权利要求1或2所述的一种逆导型IGBT器件，其特征在于，该IGBT器件中的半导体材料采用Si、SiC、GaAs或者GaN。
4.一种逆导型IGBT器件，其元胞结构包括N-漂移区(8)、位于N-漂移区(8)上层的发射极结构和栅极结构和位于N-漂移区(8)下层的集电极结构；所述栅极结构为平面栅，包括栅氧化层(7)和位于栅氧化层(7)上表面的多晶硅栅电极(3)；所述发射极结构位于栅极结构两侧，包括发射极金属(2)、N+发射区(4)、P型基区(5)和P+区(6)；所述N+发射区(4)位于P型基区(5)中，N+发射区(4)的上表面和P型基区(5)的上表面与栅氧化层的下表面连接；所述P+区(6)与P型基区(5)连接；所述发射极金属(2)位于N+发射区(4)和P+区(6)的上表面；所述集电极结构包括P+集电区(11)、N+集电极短路区(12)和金属集电极(13)；所述P+集电区(11)和N+集电极短路区(12)并列位于金属集电极(13)的上表面；所述P+集电区(11)和N+集电极短路区(13)的上表面与N-漂移区(8)之间具有N型电场阻止层(9)；其特征在于，所述P+区(6)之间的N-漂移区(8)上表面具有肖特基金属(1)，所述肖特基金属(1)与发射极金属(2)连接；所述集电极结构还包括N-区(10)，所述N-区(10)位于N型电场阻止层(9)与N+集电极短路区(12)和部分P+集电区(11)之间。
5.根据权利要求4所述的一种逆导型IGBT器件，其特征在于，所述发射极肖特基金属(1)的材料采用钨、钛或者铂。
6.根据权利要求4或5所述的一种逆导型IGBT器件，其特征在于，该IGBT器件中的半导体材料采用Si、SiC、GaAs或者GaN。
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