[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510528013.0 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN105261633B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 任从赫;金世埈;李晙硕;李昭廷;李在晟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/488;H01L21/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管OLED显示装置,该显示装置包括:
在基板的显示区域上的薄膜晶体管;
连接到所述薄膜晶体管的OLED,其中,所述OLED包括第一电极、有机化合物层和第二电极;
在所述基板的焊盘区域上的多个焊盘电极,所述多个焊盘电极至少包括第一焊盘电极层、第二焊盘电极层和第三焊盘电极层,
其中,所述焊盘电极具有与所述薄膜晶体管的数据线相同的三层结构;以及
第四焊盘电极层,所述第四焊盘电极层在所述第一焊盘电极层下面并且与所述第一焊盘电极层接触,
其中,在所述第二焊盘电极层下面的所述第一焊盘电极层是粘合促进层,所述粘合促进层由增加所述第二焊盘电极层与所述第四焊盘电极层之间的粘附力的材料形成,
其中,与所述第一焊盘电极层和所述第三焊盘电极层的材料相比,所述第二焊盘电极层由低电阻材料形成,并且
其中,所述第二焊盘电极层由被用于将所述第一电极图案化的蚀刻剂蚀刻的材料形成,并且所述第三焊盘电极层由不被所述蚀刻剂蚀刻的材料形成,使得在所述第二焊盘电极层上面的所述第三焊盘电极层起到用于所述第二焊盘电极层的蚀刻阻挡层的作用。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二焊盘电极层包括Cu,所述第一焊盘电极层包括MoTi或Ti。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一焊盘电极层的材料与所述第三焊盘电极层的材料相同。
4.根据权利要求2所述的显示装置,该显示装置还包括:
钝化层,该钝化层覆盖所述第一焊盘电极层、所述第二焊盘电极层和所述第三焊盘电极层的侧面以及所述第三焊盘电极层的上表面的至少一些部分。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第三焊盘电极层与所述第一焊盘电极层的两侧接触以密封所述第二焊盘电极层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极包括Ag、Al、Ag合金和Al合金当中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述多个焊盘电极的材料不与所述第一电极的材料相同。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述蚀刻剂包括磷酸、硝酸和乙酸当中的至少一种,但是不包括氢氟酸钾和过氧化氢。
9.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括:
层间绝缘层,该层间绝缘层被设置在所述第一焊盘电极层与所述第四焊盘电极层之间,以覆盖第四焊盘电极层的上表面的一些部分。
10.一种有机发光二极管OLED显示装置,该显示装置包括:
包括显示区域和焊盘区域的基板;
在所述基板的显示区域上的薄膜晶体管;
在所述焊盘区域中的焊盘线和焊盘电极,所述焊盘电极至少包括第一焊盘电极层、第二焊盘电极层和第三焊盘电极层;
第四焊盘电极层,所述第四焊盘电极层在所述第一焊盘电极层下面并且与所述第一焊盘电极层接触;以及
在所述显示区域中的通过蚀刻配置的经图案化的阳极,
其中,所述焊盘电极是与所述薄膜晶体管的数据布线相同的三层结构,
其中,在所述第二焊盘电极层下面的所述第一焊盘电极层是粘合促进层,所述粘合促进层由增加所述第二焊盘电极层与所述第四焊盘电极层之间的粘附力的材料形成,
其中,所述第三焊盘电极层和所述第一焊盘电极层的材料相同,并且
其中,所述第二焊盘电极层由被用于将所述阳极图案化的蚀刻剂蚀刻的材料形成,并且所述第三焊盘电极层由不被所述蚀刻剂蚀刻的材料形成,使得在所述第二焊盘电极层上面的所述第三焊盘电极层起到用于所述第二焊盘电极层的蚀刻阻挡层的作用。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第三焊盘电极层和所述第一焊盘电极层的两侧接触以密封所述第二焊盘电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的