[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510528013.0 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN105261633B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 任从赫;金世埈;李晙硕;李昭廷;李在晟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/488;H01L21/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
有机发光二极管显示装置及其制造方法。一种有机发光二极管OLED显示装置及其制造方法可通过形成辅助电极来减小阴极的电阻。另外,这种OLED显示装置和方法可通过对焊盘区域的焊盘电极应用保护性结构并且通过包括从多个焊盘电极层暴露的焊盘电极来防止在阳极的图案化期间由于蚀刻剂引起的对焊盘电极的损坏。
技术领域
本说明书涉及有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法,更具体地讲,涉及一种顶部发射型OLED显示装置及其制造方法。
背景技术
随着对信息显示的兴趣和对便携式信息媒体的使用的需求增加,研究工作和商业化主要集中于重量轻且厚度薄的诸如平板显示器(FPD)的显示装置。
具体地讲,在这些显示器当中,液晶显示器(LCD)装置由于其重量轻且功耗低而得以广泛使用。
作为另一种显示装置,有机发光二极管(OLED)显示装置自身发射光,因此与LCD装置相比呈现更优异的视角和对比度。另外,OLED显示装置不需要背光,因此有利于减小重量、厚度和功耗。OLED显示装置还基于直流(DC)低压来电流驱动,呈现出快速响应速度。
下文中,将参照附图描述OLED显示装置的基本结构和操作特性。
图1是示出典型OLED的发光原理的示图。
OLED显示装置通常包括具有如图1所示的结构的OLED。
参照图1,OLED包括作为像素电极的阳极18、作为公共电极的阴极28以及形成在阳极18和阴极28之间的有机化合物层31、32、35、36和37。
这里,有机化合物层31、32、35、36和37包括空穴注入层31、空穴传输层32、发射层35、电子传输层36和电子注入层37。这些层中的全部或一些可为分离的,或者一些层可被组合在一起,使得一个层实现有多个功能。
通过OLED的配置,当正(+)和负(-)驱动电压分别被施加到阳极18和阴极28时,穿过空穴传输层32的空穴和穿过电子传输层36的电子向发射层35移动以形成激子。当激子从激发态跃迁至基态(即,稳态)时,发射具有预定波长的光。
在OLED显示装置中,各自具有上述结构的OLED的子像素按照矩阵配置排列。通过数据电压和扫描电压来选择性地控制子像素以显示各种颜色,这些颜色共同形成图像。
这里,OLED显示装置可被分成无源矩阵型以及使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵型。这些类型当中,在有源矩阵型OLED显示装置中,作为有源元件的TFT被选择性地导通以选择子像素,并且由于在存储电容器中充入的电压而发生子像素的光发射。
OLED显示装置还可根据光发射方向分成顶部发射型、底部发射型和双发射型。
顶部发射型OLED显示装置被配置为在远离布置有子像素的基板的方向上发射光。顶部发射型OLED显示装置的优点在于孔径比大于底部发射型,在底部发射型中光朝着布置有子像素的基板发射并穿过该基板。
顶部发射型OLED显示装置包括设置在有机化合物层下面的阳极以及设置在有机化合物层上面的阴极,光透射穿过该有机化合物层。
这里,阴极应该被形成为足够薄(~100)以被实现为具有低功函数的半透明层。然而,这样做导致阴极具有高电阻。
如此配置的顶部发射型OLED显示装置导致由于阴极的高比电阻而形成压降(IR降)。因此,不期望地,不同电平的电压分别施加到子像素。这造成了不均匀的亮度或图像质量。具体地讲,随着面板的尺寸进一步增大,压降(IR降)问题可加重。
OLED显示装置可被划分成显示区域以及位于显示区域外侧的焊盘区域。
TFT和OLED形成在显示区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的