[发明专利]附载体铜箔的制法、覆铜积层板的制法、印刷配线板的制法、电子机器的制法及它们的制品有效
申请号: | 201510535361.0 | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN105392297B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 森山晃正;永浦友太 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | H05K3/02 | 分类号: | H05K3/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载体 铜箔 制法 覆铜积层板 印刷 线板 电子 机器 它们 制品 | ||
1.一种附载体铜箔的制造方法,其包含下述加热处理步骤:对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔,进行1小时~8小时的加热温度为100℃~220℃的加热处理,上述加热处理步骤后在常温下所测得的载体的拉伸强度为300MPa以上。
2.根据权利要求1所述的附载体铜箔的制造方法,上述加热处理是1小时~6小时的加热温度为100℃~220℃的加热处理。
3.根据权利要求1所述的附载体铜箔的制造方法,上述加热处理是2小时~4小时的加热温度为160℃~220℃的加热处理。
4.一种附载体铜箔的制造方法,其包含下述加热处理步骤:对依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层的附载体铜箔,将到达加热温度为止的升温速度设为超过50℃/小时,进行1小时~8小时的加热温度为100℃~220℃的加热处理。
5.根据权利要求4所述的附载体铜箔的制造方法,上述加热处理是1小时~6小时的加热温度为100℃~220℃的加热处理。
6.根据权利要求4所述的附载体铜箔的制造方法,上述加热处理是2小时~4小时的加热温度为160℃~220℃的加热处理。
7.根据权利要求4所述的附载体铜箔的制造方法,其中,上述加热处理中的上述升温速度为200℃/小时以下。
8.根据权利要求4所述的附载体铜箔的制造方法,其中,上述加热处理步骤后在常温下所测得的载体的拉伸强度为300MPa以上。
9.根据权利要求7所述的附载体铜箔的制造方法,其中,上述加热处理步骤后在常温下所测得的载体的拉伸强度为300MPa以上。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的制造方法,其中,在上述加热处理步骤中,是在非活性气体环境下进行加热处理。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的制造方法,其中,在上述加热处理步骤中,在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下进行加热处理。
12.根据权利要求11所述的附载体铜箔的制造方法,其中,在上述加热处理步骤中,将把附载体铜箔卷入至金属制的中空管中时的张力设为5~100kgf/m从而进行加热处理。
13.根据权利要求11所述的附载体铜箔的制造方法,其中,在上述加热处理步骤中,将把附载体铜箔卷入至金属制的中空管中时的张力设为20~100kgf/m从而进行加热处理。
14.根据权利要求11所述的附载体铜箔的制造方法,其中,在上述加热处理步骤中,在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下,一边以0.01~600旋转/小时的速度旋转上述中空管一边进行加热处理。
15.根据权利要求12或13所述的附载体铜箔的制造方法,其中,在上述加热处理步骤中,在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下,一边以0.01~600旋转/小时的速度旋转上述中空管一边进行加热处理。
16.根据权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的制造方法,其中,上述加热处理前的附载体铜箔进一步在上述载体侧的表面依序具备中间层、极薄铜层。
17.根据权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的制造方法,其中,上述加热处理前的附载体铜箔进一步在上述载体侧的表面具有表面处理层。
18.根据权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔的制造方法,其中,上述表面处理层包含粗化处理层。
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