[发明专利]附载体铜箔的制法、覆铜积层板的制法、印刷配线板的制法、电子机器的制法及它们的制品

说明书

本发明提供一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。

技术领域

本发明涉及一种附载体铜箔的制造方法、覆铜积层板的制造方法、印刷配线板的制造方法、及电子机器的制造方法、附载体铜箔、积层体、印刷配线板以及电子机器。

背景技术

印刷配线板通常经下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层板之后，通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图案的细微化(窄间距化)或高频应对等。

与窄间距化相对应，近来要求厚度在9μm以下、甚至是厚度在5μm以下的铜箔，然而，这种极薄的铜箔其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展出将具有厚度的金属箔用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积在其上而成的附载体铜箔。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸－过氧化氢系蚀刻液来蚀刻去除极薄铜层，通过此手法(MSAP：Modified－Semi－Additive－Process)来形成细微电路。

此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理等之后也保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是以下述方法为代表：使大量的粗化粒子附着于表面的轮廓(凹凸、粗糙)增大后的极薄铜层上。

然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别细微的电路图案的需要的半导体封装基板使用这种轮廓(凹凸、粗糙)大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。

因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为首的用于细微电路的附载体铜箔。由于其低轮廓(凹凸、粗糙度、粗糙)的影响，这种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)与一般的印刷配线板用铜箔相比，有降低的倾向。因此，要求对附载体铜箔作进一步的改善。

因此，在日本特开2007－007937号公报(专利文献2)及日本特开2010－006071号公报(专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触(接着)的面，设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层及铬酸盐层、设置Ni层及Cr层。通过设置该等表面处理层，聚酰亚胺系树脂基板与附载体极薄铜箔的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度(细微化)即可得到所欲的接着强度。此外，也记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防锈处理。

[专利文献1]WO2004/005588号

[专利文献2]日本特开2007－007937号公报

[专利文献3]日本特开2010－006071号公报。

发明内容

在附载体铜箔的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度一直被视为重点。因此，仍未对极薄铜层的电路形成性进行充分探讨，其仍有改善的空间。

对极薄铜层形成电路，通常是以下述方式进行：在将极薄铜层积层在树脂基材后去除载体，然后，在在极薄铜层上设置有特定图案的光阻的状态下，利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理，去除未被光阻覆盖的部分的铜层。之后，通过去除光阻，制作具有所欲的导体图案的电路。