[发明专利]SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件

权利要求书

1.一种SrCuSi4O10二维晶体的用途，其特征是：所述SrCuSi4O10二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。

2.一种基于SrCuSi4O10二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，所述作为饱和吸收体的二维晶体是SrCuSi4O10二维层状晶体。

3.根据权利要求2所述的一种基于SrCuSi4O10二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述的基体为有机聚合物。

4.根据权利要求3所述的一种基于SrCuSi4O10二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述的有机聚合物为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。

5.根据权利要求2所述的一种基于SrCuSi4O10二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述的SrCuSi4O10二维层状晶体其分子主要是由Sr、Cu、Si、O原子以1:1:4:10的摩尔配比组成。

6.根据权利要求2所述的一种基于SrCuSi4 O10 二维晶体的饱和吸收体器件，其特征是：所述饱和吸收体器件应用于脉冲激光器领域。