[发明专利]SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件

说明书

本发明公开了一种SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是SrCuSi4O10二维层状晶体，主要是由Sr、Cu、Si、O原子以1:1:4:10的摩尔配比组成，使用酸溶液剥离SrCuSi4O10三维晶体而制备得到。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。

技术领域

本发明涉及非线性光学材料和器件，特别是涉及一种SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件，可用于光纤激光器的锁模、调Q、激光光束整形等。

背景技术

脉冲激光器在激光制造加工业、科学研究等领域中正起着越来越重要的作用。随着调Q和锁模技术以及激光增益介质的不断发展，已可从许多不同波长的激光系统中获得脉冲输出。产生脉冲主要有主动和被动两种方式，主动调制需要在激光腔中外加调制器(声光/电光调制器)实现，既增加了系统成本，也降低了系统便携性；而被动调制无需任何外部器件，因而逐渐成为目前的主流选择和发展方向。目前大部分商用化脉冲激光器都是采用被动方式实现，其中最常用的两种被动调制方式是调Q和锁模技术，其关键是在腔内加入饱和吸收体，起到幅度自调制的作用，即当输入光强度越大，饱和吸收体的吸收越小，有利于抑制连续波实现脉冲输出。

目前常见的饱和吸收体包括染料、半导体饱和吸收镜以及最近新兴的碳纳米管和石墨烯等。染料饱和吸收体由于自身恢复时间在纳秒量级，只能产生纳秒量级的脉冲，并且其稳定性也是一较大劣势；半导体饱和吸收镜经过数十年的发展，技术相对成熟，输出稳定，但是其光损伤阈值低、应用波段窄、恢复时间长(约几纳秒)，结构复杂，制备条件要求高，并且只能在特定的线形拓扑腔中应用，大大限制了其进一步发展。单壁碳纳米管在近红外波段有优良的饱和吸收响应，但其本身是一种各向异性的材料，制备时生长方向、直径、长度、手征性等难以选择和控制，而单壁碳纳米管的光吸收特性与碳管直径、手征性等因素相关，因此将给锁模的精确控制带来难题；并且单壁碳纳米管容易缠结成束，带来较高的线性损耗。石墨烯等二维材料近年来作为饱和吸收体受到研究者的追捧，其基本思路是单原子厚的石墨烯膜分散在透明聚合物中或者直接转移到光纤头断面作为饱和吸收体。但是石墨烯饱和吸收体的特性依赖于单原子厚石墨烯独特的狄拉克能带结构，随着原子层数的增加，载流子迁移率急剧下降、能带结构和光吸收特性等性质变化较大，使多原子层石墨烯应用受到限制。目前，单原子层石墨烯的廉价、高效制备目前仍然是亟待解决的难题。

发明内容

本发明的目的是提供了一种SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件，该器件具有结构简单、成本低的特点，并且找到了一种全新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间。

本发明的技术方案是：

一、一种SrCuSi4O10二维晶体的用途：SrCuSi4O10二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。

二、一种基于SrCuSi4O10二维晶体的饱和吸收体器件：