[发明专利]有场电极结构单元场和终止结构间终止台面的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

单元场（610），其包括成行布置的多个场电极结构（160）和将相邻的那些场电极结构（160）彼此分离的单元台面（170），其中每一个场电极结构（160）包括场电极（165）和将场电极（165）与半导体本体（100）分离的场电介质（161）；

其中，所述单元场包括功能区和非功能区，其中所述功能区包括功能晶体管单元，所述功能晶体管单元包括多个场电极结构中的一个或多个、第一导电类型的源极区和与第一导电类型互补的第二导电类型的本体区，并且其中所述非功能区包括非功能晶体管单元，所述非功能晶体管单元包括多个场电极结构中的一个或多个，其中分离非功能晶体管单元中的场电极结构的所述单元台面不包括第一导电类型的源极区；

围绕单元场（610）的终止结构（180），其从第一表面（101）延伸到半导体本体（100）中，并且包括终止电极（185）和将终止电极（185）与半导体本体（100）分离的终止电介质（181），所述终止和场电介质（181,161）具有相同厚度；以及

终止台面（190），其宽于单元台面（170）并且将终止结构（180）与单元场（610）的非功能区分离。

2.权利要求1所述的半导体器件，其中

终止台面（190）中的平均掺杂剂浓度低于单元台面（170）中的第二漂移区区段（121b）中的平均掺杂剂浓度，所述第二漂移区区段（121b）直接毗邻形成在场电极结构（160）与和第一表面（101）相对的第二表面（102）之间的半导体本体（100）的连续区段（CS）中的第一漂移区区段（121a）。

3.权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：

围绕场电极结构（160）的栅结构（150），所述栅结构（150）包括栅电极（155）和将栅电极（155）与半导体本体（100）分离的栅电介质（151）。

4.权利要求3所述的半导体器件，其中

单元台面（170）的部分分别形成在栅结构（150）与场电极结构（160）之间。

5.权利要求4所述的半导体器件，其中

栅结构（155）形成嵌入多个晶体管单元（TC）的晶体管区段（TS）的网格，每一个晶体管单元（TC）被分配给场电极结构（160）。

6.权利要求1、2、4和5中任一项所述的半导体器件，其中

场电极结构（160）的宽度等于终止结构（180）的宽度。

7.权利要求1、2、4和5中任一项所述的半导体器件，其中

终止台面（190）的宽度（dT）沿着终止台面（190）的直区段是均匀的。

8.权利要求1、2、4和5中任一项所述的半导体器件，其中

终止台面（190）的宽度（dT）沿着终止台面（190）的正交直区段之间的倾斜部分是均匀的。

9.权利要求1、2、4和5中任一项所述的半导体器件，其中

终止结构（180）与单元场（610）之间的距离是均匀的。

10.权利要求1、2、4和5中任一项所述的半导体器件，其中

场电极结构（160）矩阵状布置在行和与行正交的排中，并且终止台面（190）包括沿着矩形单元场的四个侧边的至少四个直区段。

11.权利要求10所述的半导体器件，其中

终止台面（190）包括分别连接两个正交直区段的倾斜区段。

12.权利要求1、2、4和5中任一项所述的半导体器件，其中

场电极结构（160）布置在偏移行中，并且终止台面（190）包括平行于偏移行的直区段和正交于偏移行的曲折区段。