[发明专利]有场电极结构单元场和终止结构间终止台面的半导体器件

说明书

本发明涉及有场电极结构单元场和终止结构间终止台面的半导体器件。半导体器件（500）包括具有多个场电极结构（160）和单元台面（170）的单元场（610）。场电极结构（160）成行布置。单元台面（170）将相邻的那些场电极结构（160）彼此分离。每一个场电极结构（160）包括场电极（165）和将场电极（165）与半导体本体（100）分离的场电介质（161）。终止结构（180）围绕单元场（610），从第一表面（101）延伸到半导体本体（100）中，并且包括终止电极（185）和将终止电极（185）与半导体本体（100）分离的终止电介质（181）。终止和场电介质（161,181）具有相同厚度。宽于单元台面（170）的终止台面（190）将终止结构（180）与单元场（610）分离。

技术领域

本发明涉及有场电极结构单元场和终止结构间终止台面的半导体器件。

背景技术

基于IGFET（绝缘栅场效应晶体管）单元的功率半导体器件典型地是具有半导体管芯的前侧的第一表面与后侧的第二表面之间的负载电流流动的垂直器件。在阻断模式中，从前侧延伸到半导体管芯中的条形补偿结构耗尽形成于条形补偿结构之间的半导体台面。补偿结构允许半导体台面中的较高掺杂剂浓度而不会不利地影响阻断性能。较高掺杂剂浓度继而减小器件的接通状态电阻。典型地，终止结构以下述方式在包括IGFET单元的单元场的边缘处使半导体台面的端部成形：在端部处要被耗尽的掺杂近似等于单元场的中央部分中所耗尽的掺杂。

提供具有低欧姆损耗和没有问题的雪崩特性的半导体器件是所期望的。

发明内容

利用独立权利要求的主题实现该目标。从属权利要求是指另外的实施例。

根据实施例，半导体器件包括单元场，其包括多个场电极结构和单元台面。场电极结构成行布置。单元台面将相邻的那些场电极结构彼此分离。每一个场电极结构包括场电极以及将场电极与半导体本体分离的场电介质。终止结构围绕单元场。终止结构从第一表面延伸到半导体本体中，并且包括终止电极以及将终止电极与半导体本体分离的终止电介质。终止和场电介质具有相同厚度。比单元台面更宽的终止台面将终止结构与单元场分离。

根据另一实施例，电子组件包括半导体器件。半导体器件包括单元场，其包括多个场电极结构和单元台面。场电极结构成行布置。单元台面将相邻的那些场电极结构彼此分离。每一个场电极结构包括场电极以及将场电极与半导体本体分离的场电介质。终止结构围绕单元场。终止结构从第一表面延伸到半导体本体中，并且包括终止电极以及将终止电极与半导体本体分离的终止电介质。终止和场电介质具有相同厚度。比单元台面更宽的终止台面将终止结构与单元场分离。

根据另一实施例，制造半导体器件的方法包括在包含掺杂剂的半导体层的单元场中形成场电极沟槽，其中场电极沟槽成行布置并且通过由半导体层的部分形成的单元台面而分离。在半导体层中，形成围绕单元场的终止沟槽，其中单元场和终止沟槽之间的半导体层的部分形成终止台面，其比单元台面更宽。通过热氧化形成场氧化物层，其均匀地加衬场电极和终止沟槽。

通过阅读以下详细描述并且查看附图，本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供本发明的进一步理解，并且被并入且构成该说明书的一部分。附图中图示了本发明的实施例，并且连同描述一起用于解释本发明的原理。将容易地领会到本发明的其它实施例和旨在的优点，因为通过参考以下详细描述它们变得更好地理解。

图1A是根据实施例的涉及周边终止结构以及比单元台面更宽的终止台面的半导体器件的示意性平面视图。

图1B是图1A的半导体器件的部分的示意性垂直横截面视图。

图2A是根据实施例的半导体器件的部分的示意性透视横截面视图。

图2B示出了图2A的半导体器件部分中的雪崩击穿处的电荷载流子生成。