[发明专利]存储器控制方法及其系统有效

专利信息
申请号: 201510540007.7 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN106328186B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 罗珮文;石修铨;陈纪纲;蒯定明;吴诚文 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器区块 存储器装置 指令 存储器内部电路 存储器控制器 存储器阵列 分析模块 控制参数 存储器控制指令 低电压操作模式 操作模式切换 存储器控制 存储器系统 系统存储器 操作模式 操作状态 电性连接 正常电压 分析
【权利要求书】:

1.一种存储器系统,包括:

存储器装置,包含多个存储器内部电路与存储器阵列,这些存储器内部电路与该存储器阵列电性连接,该存储器阵列包括多个存储器区块,这些存储器区块包括特定存储器区块;以及

存储器控制器,包括:

分析模块,用以分析对应至该特定存储器区块的多个存储器控制指令的状态,以产生控制参数;及

切换模块,用以根据该控制参数、该特定存储器区块的目前操作模式、及该特定存储器区块的操作状态,决定是否发出切换指令,该切换指令包含第一切换指令及第二切换指令;

其中,当该存储器装置接收到该第一切换指令时,该特定存储器区块与至少部分的这些存储器内部电路由正常电压操作模式切换至低电压操作模式。

2.如权利要求1所述的存储器系统,其中该存储器控制器还包括对应至该特定存储器区块的多个指令队行,该分析模块还用以分析这些存储器控制指令存储于这些指令队行的状态,来产生区块交错参数,该分析模块并根据该区块交错参数产生该控制参数。

3.如权利要求1所述的存储器系统,其中该存储器控制器还包括对应至该特定存储器区块的多个指令队行,该分析模块还用以分析存储于这些指令队行的这些存储器控制指令的总量,以产生请求数量参数,并根据该请求数量参数产生该控制参数。

4.如权利要求1所述的存储器系统,其中该存储器控制器还包括对应至该特定存储器区块的多个指令队行,该分析模块还用以分析这些存储器控制指令存储于这些指令队行的状态,来产生区块交错参数,并分析存储于这些指令队行的这些存储器控制指令的总量,以产生请求数量参数,该分析模块根据该区块交错参数以及该请求数量参数产生该控制参数。

5.如权利要求4所述的存储器系统,其中该分析模块还用以判断该区块交错参数以及该请求数量参数的乘积是否大于临界值,若该乘积大于该临界值,则产生代表该正常电压操作模式的该控制参数。

6.如权利要求5所述的存储器系统,其中该切换模块还用以判断该特定存储器区块的该目前操作模式为该正常电压操作模式或该低电压操作模式,当该目前操作模式为该低电压操作模式,则发出该第二切换指令,以将该特定存储器区块与至少部分的这些存储器内部电路由该低电压操作模式切换至该正常电压操作模式。

7.如权利要求1所述的存储器系统,其中该切换模块还用以判断该特定存储器区块的该操作状态是否为爆发模式,若该特定存储器区块的该操作状态为该爆发模式,则不发出该切换指令。

8.如权利要求1所述的存储器系统,其中该切换模块还用以判断该特定存储器区块的该操作状态是否为读取模式或写入模式,若该特定存储器区块的该操作状态为该读取模式或该写入模式,则不发出该切换指令。

9.如权利要求1所述的存储器系统,其中该存储器装置包含多个时序相关电路及多个时序独立电路,当该存储器装置接收到该第一切换指令时,这些时序独立电路由该正常电压操作模式切换至该低电压操作模式。

10.如权利要求9所述的存储器系统,其中这些时序相关电路包含多个接收器、该存储器阵列、位线感测放大器、芯片外驱动电路、数据输入/输出脉冲电路以及数据输入/输出电路。

11.如权利要求9所述的存储器系统,其中这些时序独立电路包含行请求处理电路、行预解码器、总体字线解码器、局部字线解码器、列请求处理电路、列解码器、位线开关驱动器、局部字线驱动器、数据放大器、数据输入缓冲电路以及数据输出缓冲电路。

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