[发明专利]存储器控制方法及其系统

说明书

存储器控制方法及其系统。该存储器系统包括存储器装置及存储器控制器。存储器装置包含电性连接的多个存储器内部电路与一存储器阵列。存储器阵列包括一特定存储器区块。存储器控制器包括分析模块以及切换模块。分析模块分析对应至特定存储器区块的多个存储器控制指令的状态以产生控制参数。切换模块根据控制参数、特定存储器区块的目前操作模式、及特定存储器区块的操作状态决定是否发出包含第一切换指令及第二切换指令的切换指令。当存储器装置接收到第一切换指令时，特定存储器区块与至少部分的存储器内部电路由正常电压操作模式切换至低电压操作模式。

技术领域

本申请涉及一种存储器控制方法及其系统。

背景技术

近年来，提供高效能、低功率消耗的电子装置已逐渐成为市场趋势。在电子装置中，动态随机存取存储器(DRAM)的功率消耗(power consumption)占了电子装置整体的功率消耗的大部分。目前动态随机存取存储器的元件开发上，除了增大DRAM存储容量、提高DRAM操作速度及扩大DRAM数据传输的带宽之外，如何降低DRAM的耗电量为目前业界的主要研究发展的方向。一般而言，实现低功率消耗的DRAM的作法主要包括以下几种方式。采用先进工艺的低电压、降低DRAM的输入输出(IO)上的电容值、提供深度省电模式(Deep powerdown mode)以及改变DRAM中的存储器阵列存储单元中数据更新频率等方式。然而，这些方法可能相对的提升了芯片的制作成本，或在降低功率消耗上并无大幅的实质效益。

发明内容

根据本公开的一实施例，提供一种存储器系统。本公开存储器系统包括存储器装置及存储器控制器。存储器装置包含电性连接的多个存储器内部电路与一存储器阵列。存储器阵列包括一特定存储器区块。存储器控制器包括分析模块以及切换模块。分析模块分析对应至特定存储器区块的多个存储器控制指令的状态以产生控制参数。切换模块根据控制参数、特定存储器区块的目前操作模式、及特定存储器区块的操作状态决定是否发出包含第一切换指令及第二切换指令的切换指令。当存储器装置接收到第一切换指令时，特定存储器区块与至少部分的存储器内部电路由正常电压操作模式切换至低电压操作模式。

根据本公开的一实施例，提供一种用于一存储器系统的存储器控制方法。此存储器控制方法包含以下步骤。分析对应至特定存储器区块的多个存储器控制指令的状态，以产生一控制参数。根据控制参数、特定存储器区块之一目前操作模式、及特定存储器区块之一操作状态，决定是否发出一切换指令。切换指令包含一第一切换指令及一第二切换指令。此存储器控制方法还包含当存储器装置接收到第一切换指令时，将特定存储器区块与至少部分的存储器内部电路由一正常电压操作模式切换至一低电压操作模式。

以下所附的图式，构成了本说明书的一部分，用以配合下文的描述以说明公开的实施例，为了解释公开的实施例。

附图说明

图1绘示依据本公开的一实施例的存储器系统的方块图。

图2绘示依据本公开的图1的存储器装置的电路结构的示意图。

图3绘示依据本公开的图1的存储器系统架构的示意图。

图4绘示依据不同的区块交错参数β分别操作在低电压操作模式或正常电压操作模式的时序图。

图5绘示依据不同的请求数量参数N_Qr分别操作在低电压操作模式或正常电压操作模式的时序图。

图6绘示依据本公开的一实施例的用于如图1的存储器系统的存储器控制方法的流程图。

图7绘示依据本公开的存储器控制方法的模拟结果的示意图。

【符号说明】

100、300：存储器系统

110：存储器控制器

120：存储器装置