[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的蚀刻方法，其特征在于，包括：

第一步骤，将具有所述第一区域和所述第二区域的被处理体暴露于包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中，对所述第一区域进行蚀刻，且在所述第一区域和所述第二区域上形成包含碳氟化合物的堆积物；和

第二步骤，在所述第一步骤之后，在没有供给碳氟化合物气体的状况下，通过供给稀有气体，生成所述稀有气体的等离子体，使所述稀有气体的原子的活性种碰撞所述堆积物，利用所述堆积物中包含的碳氟化合物的自由基进行所述第一区域的蚀刻，

在所述第一步骤中，所述等离子体由脉冲状的高频电力生成，

交替反复进行所述第一步骤和所述第二步骤。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述第一步骤中为了将离子引入到所述被处理体而供给脉冲状的高频偏置电力。

3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述高频偏置电力与所述高频电力同步。

4.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，利用连续供给的高频电力生成所述稀有气体的等离子体。