[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明提供相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。一实施方式的方法包括：(a)第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理体暴露于包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中，蚀刻第一区域，且在第一区域和第二区域上形成包含碳氟化合物的堆积物；和(b)第二步骤，利用堆积物中包含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域。在该方法的第一步骤中，等离子体由脉冲状的高频电力生成。此外，交替反复进行第一步骤和第二步骤。

技术领域

本发明的实施方式涉及蚀刻方法。

背景技术

在电子器件的制造中，有时进行通过蚀刻对作为绝缘层的氧化硅膜形成孔、槽等的处理。在氧化硅膜的蚀刻中，如美国专利第7708859号说明书中记载的内容，一般情况下，通过将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中，来蚀刻氧化硅膜。

在使用碳氟化合物气体的等离子体的蚀刻中，利用氟的活性种蚀刻氧化硅膜。此外，该蚀刻中，碳氟化合物附着在氧化硅膜上而形成堆积物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7708859号说明书

发明内容

发明要解决的课题

在上述的氧化硅膜的蚀刻中，堆积物的膜厚渐渐增加。当堆积物的膜厚变大时，阻碍能够蚀刻氧化硅膜的活性种到达氧化硅膜。因此，氧化硅膜的蚀刻在中途变得不能进行。结果是，氧化硅膜的蚀刻速率降低。

另一方面，有时在被处理体具有由氧化硅构成的第一区域和由氮化硅构成的第二区域。要求相对于这样的被处理体的第二区域有选择地蚀刻第一区域。根据上述的碳氟化合物气体的等离子体，与第一区域上相比在第二区域上较厚地形成堆积物，所以能够将第一区域的蚀刻速率提高得比第二区域的蚀刻速率高。

但是，在蚀刻开始时，在第二区域上没有形成堆积物。因而，在蚀刻开始时第二区域被蚀刻。

根据这样得到状况，需要抑制由氧化硅构成的第一区域的蚀刻速率的降低，且使第一区域相对于由氮化硅构成的第二区域的蚀刻的选择性。

用于解决课题的技术方案

一方式中，提供相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。该方法包括：(a)将具有第一区域和第二区域的被处理体暴露与包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的第一步骤，对第一区域进行蚀刻，且在第一区域和第二区域上形成包含碳氟化合物的堆积物；和(b)利用堆积物中包含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域的第二步骤。该方法的第一步骤中，由脉冲状的高频电力生成等离子体。此外，交替反复进行第一步骤和第二步骤。

该方法中，由于利用堆积物中包含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域，所以该第一区域的蚀刻的停止受到抑制。因而，能够抑制第一区域的蚀刻速率的降低。此外，在第一步骤中，由脉冲状的高频电力生成等离子体。在由这样的高频电力生成的等离子体中，在脉冲的断开时间中与离子通量相比自由基通量较慢地衰减。因而，因存在仅照射自由基的时间，离子通量的比率变低。即，与离子相比较多地生成自由基。能够抑制没有被堆积物覆盖的状态的第二区域被蚀刻。因此，根据该方法，能够抑制第一区域的蚀刻速率的降低，且提高第一区域相对于第二区域的蚀刻的选择性。

在一实施方式的第一步骤中，为了将离子引入到被处理体可以供给脉冲状的高频偏置电力。在一实施方式的第一步骤中，可以使高频偏置电力和高频电力同步。

此外，在一实施方式的第二步骤中，利用连续供给的高频电力能够生成稀有气体的等离子体。

发明效果

如以上说明，能够抑制由氧化硅构成的第一区域的蚀刻速率的降低，且能够提高第一区域相对于由氮化硅构成的第二区域的蚀刻的选择性。