[发明专利]一种刻蚀装置及导电层的刻蚀方法、阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：用于与待刻蚀导电层形成极化回路的第一电极；

与所述第一电极形成测量回路的第二电极；

及与所述第一电极、第二电极和待刻蚀导电层接触的刻蚀液；

及用于对刻蚀过程进行控制的控制单元。

2.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极包括多个电化学探针。

3.如权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极包括电化学探针阵列。

4.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括驱动所述第一电极在所述待刻蚀导电层上运动的驱动单元。

5.如权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述控制单元包括控制所述驱动单元运动的驱动控制子单元。

6.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述控制单元包括对所述测量回路和极化回路的信号进行控制的信号控制子单元。

7.如权利要求6所述的刻蚀装置，其特征在于，所述信号控制子单元包括电化学工作站。

8.如权利要求7所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的电化学工作站分别与所述的第一电极、第二电极和待刻蚀导电层电连接；

所述的电化学工作站用于控制极化回路的电化学反应；

所述的电化学工作站还用于根据测量回路电化学反应的参数，监测电化学反应，控制极化电路的电化学反应。

9.一种导电层的刻蚀方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-8任一所述的刻蚀装置进行刻蚀的步骤，所述刻蚀步骤包括：

控制单元控制极化回路进行刻蚀，并根据所述测量回路获得的监控参数对刻蚀进行调整，形成待刻蚀导电层图形的步骤。

10.如权利要求9所述的导电层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤包括：所述控制单元的驱动控制子单元根据待刻蚀导电层的目标图形控制驱动单元将第一电极移动至待刻蚀位置进行刻蚀的步骤；

及所述控制单元的电化学工作站根据测量回路获得电化学反应参数，并结合待刻蚀导电层的目标图形对极化回路施加相应的电压控制刻蚀速度的步骤。

11.如权利要求9所述的导电层的刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀步骤之前还包括将待刻蚀导电层极化的步骤：

所述将待刻蚀导电层极化的步骤包括：所述控制单元的电化学工作站向极化回路施加电压使待刻蚀导电层达到极化电位。

12.如权利要求9所述的导电层的刻蚀方法，其特征在于，在将待刻蚀导电层极化的步骤之前还包括施加刻蚀液的步骤：

所述施加刻蚀液的步骤包括：在所述待刻蚀导电层上施加刻蚀液。

13.如权利要求12所述的导电层的刻蚀方法，其特征在于，在施加刻蚀液的步骤之前还包括：在衬底上形成待刻蚀导电层的步骤。

14.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上沉积栅极金属层，采用如权利要求9-12所述的导电层的刻蚀方法对栅极金属层进行电化学刻蚀，形成栅极；

在栅极上形成栅极绝缘层；

制备有源层和源漏极：

在栅极绝缘层上依次沉积有源层和源漏极金属层，采用如权利要求9-12所述的导电层的刻蚀方法对源漏极金属层进行第一次电化学刻蚀，形成源漏极金属层的初步图形，其中，电化学刻蚀的目标图形为有源层的掩膜板；

以源漏极金属层的初步图形作为掩膜板对有源层进行干法刻蚀，形成有源层图形；

采用如权利要求9-12所述的导电层的刻蚀方法对源漏极金属层进行第二次电化学刻蚀，形成源漏极图形，其中，电化学刻蚀的目标图形为源漏极的掩膜板；

制备钝化层和像素电极：

在源漏极上沉积钝化层和像素电极第一分层，采用如权利要求9-12所述的导电层的刻蚀方法对像素电极第一分层进行电化学刻蚀，形成像素电极第一分层的图形，其中，电化学刻蚀的目标图形为像素电极第一分层的掩膜板；

以像素电极第一分层的图形作为掩膜板对钝化层进行干法刻蚀，形成钝化层图形；

沉积像素电极第二分层，采用如权利要求9-12所述的导电层的刻蚀方法对像素电极第一分层和像素电极第二分层进行电化学刻蚀，形成像素电极的图形，其中，电化学刻蚀的目标图形为像素电极的掩膜板。