[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

存储器单元，具有：第一栅极电极，包括经由第一绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上的第一硅化物层；第二栅极电极，包括经由在其中具有电荷存储部的第二绝缘膜而形成在所述第一栅极电极的侧壁之上的第二硅化物层；以及第一源极区域和第一漏极区域，形成在所述半导体衬底的主表面中；

其中所述第二栅极电极经由所述第二绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上；

其中所述第一硅化物层与所述第一绝缘膜的上表面邻接；并且

其中所述第二硅化物层与所述第二绝缘膜的在所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间的上表面邻接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一场效应晶体管，包括：第三栅极电极，是经由第三绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上的金属栅极电极；以及第二源极区域和第二漏极区域，形成在所述半导体衬底的所述主表面中；

其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的每一个的上表面的高度低于所述第三栅极电极的上表面的高度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极、与所述第三栅极电极之间，具有第一层间绝缘膜；

其中形成在所述第一层间绝缘膜之上的第二层间绝缘膜覆盖所述第一栅极电极至所述第三栅极电极中的每一个的上表面；以及

其中穿透所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的接触塞耦合至所述存储器单元。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第三栅极电极具有：第一金属膜，形成在所述第三绝缘膜之上；以及第二金属膜，形成在所述第一金属膜之上；并且

其中所述第二金属膜具有覆盖有所述第一金属膜的侧壁。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中在所述第三绝缘膜与所述第三栅极电极之间具有高介电常数绝缘膜，所述高介电常数绝缘膜具有比氮化硅的介电常数更高的介电常数。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

第二场效应晶体管，具有：第四栅极电极，包括经由第四绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上的第三硅化物层；以及第三源极区域和第三漏极区域，形成在所述半导体衬底的所述主表面中；

其中所述第四绝缘膜具有比所述第三绝缘膜的膜厚度更大的膜厚度；并且

其中所述第三硅化物层与所述第四绝缘膜的上表面邻接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第四栅极电极的上表面的高度低于所述第三栅极电极的上表面的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

上电极，包括经由第五经由绝缘膜而位于所述半导体衬底之上的第四硅化物层；

其中经由所述第五绝缘膜而彼此绝缘的所述上电极和所述半导体衬底构成电容性元件；并且

其中所述第四硅化物层与所述第五绝缘膜的上表面邻接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述上电极包括：所述第四硅化物层，形成在所述上电极的端部处；以及半导体膜，与所述第四硅化物层的侧壁以及所述第五绝缘膜的上表面邻接；并且

其中接触塞耦合至所述第四硅化物层的上表面。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述半导体衬底在其上表面中具有沟槽；

其中所述沟槽填充有所述上电极的部分、以及所述第五绝缘膜；

其中所述上电极具有所述第四硅化物层、以及形成在所述沟槽中的半导体膜；并且

其中在所述半导体衬底的最上表面之上，在所述第四硅化物层与所述半导体膜之间具有边界。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括：

第一场效应晶体管，包括：第三栅极电极，是经由第三绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上的金属栅极电极；以及第二源极区域和第二漏极区域，形成在所述半导体衬底的所述主表面中；

其中所述上电极的上表面的高度低于所述第三栅极电极的上表面的高度。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述上电极的上表面的高度低于所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的每一个的上表面的高度。