[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以规定次数进行下述循环从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：

经由第一喷嘴对处理室内的衬底供给原料气体的工序，

从所述处理室内排出所述原料气体的工序，

经由与所述第一喷嘴不同的第二喷嘴对所述处理室内的所述衬底供给含氧气体的工序，

从所述处理室内排出所述含氧气体的工序，

经由所述第二喷嘴对所述处理室内的所述衬底供给含氢气体的工序，和

从所述处理室内排出所述含氢气体的工序；

所述制造方法中，使排出所述含氧气体的工序及排出所述含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出所述原料气体的工序中大。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

使排出所述含氧气体的工序及排出所述含氢气体的工序中的气体排出时间比排出所述原料气体的工序中的气体排出时间更长；或

使排出所述含氧气体的工序及排出所述含氢气体的工序中向所述处理室内供给的吹扫气体的供给流量比排出所述原料气体的工序中的吹扫气体的供给流量更大。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在排出所述含氧气体的工序及排出所述含氢气体的工序中，以规定次数非同时地进行不向所述处理室内供给气体地对所述处理室内进行排气的工序、和向所述处理室内供给吹扫气体的工序；

在排出所述原料气体的工序中，进行向所述处理室内供给吹扫气体的工序，不实施不向所述处理室内供给气体地对所述处理室内进行排气的工序。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述形成膜的工序中，至少依次连续地进行供给所述含氧气体的工序、排出所述含氧气体的工序、供给所述含氢气体的工序、和排出所述含氢气体的工序；

使排出所述含氧气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出所述含氢气体的工序中大。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

使排出所述含氧气体的工序中的气体排出时间比排出所述含氢气体的工序中的气体排出时间长；或

使排出所述含氧气体的工序中向所述处理室内供给的吹扫气体的供给流量比排出所述含氢气体的工序中的吹扫气体的供给流量大。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

在排出所述含氧气体的工序及排出所述含氢气体的工序中，以规定次数非同时地进行不向所述处理室内供给气体地对所述处理室内进行排气的第一工序、和向所述处理室内供给吹扫气体的第二工序；

使排出所述含氧气体的工序中进行所述第一工序和所述第二工序的次数比排出所述含氢气体的工序中进行所述第一工序和所述第二工序的次数多。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述形成膜的工序中，至少依次连续地进行供给所述含氢气体的工序、排出所述含氢气体的工序、供给所述含氧气体的工序、和排出所述含氧气体的工序；

使排出所述含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出所述含氧气体的工序中大。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

使排出所述含氢气体的工序中的气体排出时间比排出所述含氧气体的工序中的气体排出时间长；或

使排出所述含氢气体的工序中向所述处理室内供给的吹扫气体的供给流量比排出所述含氧气体的工序中的吹扫气体的供给流量大。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

排出所述含氢气体的工序及排出所述含氧气体的工序中，以规定次数非同时地进行不向所述处理室内供给气体地对所述处理室内进行排气的第一工序、和向所述处理室内供给吹扫气体的第二工序；

使排出所述含氢气体的工序中进行所述第一工序和所述第二工序的次数比排出所述含氧气体的工序中进行所述第一工序和所述第二工序的次数多。