[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

说明书

本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生。所述半导体器件的制造方法包括下述工序：将非同时地进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、从处理室内排出原料气体的工序、对处理室内的衬底供给含氧气体的工序、从处理室内排出含氧气体的工序、对处理室内的衬底供给含氢气体的工序、及从处理室内排出含氢气体的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在衬底上形成膜；所述半导体器件的制造方法中，使排出含氧气体的工序及排出含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出原料气体的工序中大。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。

背景技术

作为半导体器件(元器件)的制造工序的一个工序，有时进行下述工序：通过非同时地对处理室内的衬底供给原料气体、含氧(O)气体、含氢(H)气体，由此在衬底上形成膜。

发明内容

但是，发明人等通过深入研究确认到了向处理室内供给含O气体、含H气体时，存在处理室内产生大量颗粒的情况。本发明的目的在于提供能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生的技术。

根据本发明的一种技术方案，提供一种技术，

所述技术包括以规定次数进行下述循环从而在上述衬底上形成膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：

对处理室内的衬底供给原料气体的工序，

从上述处理室内排出上述原料气体的工序，

对上述处理室内的上述衬底供给含氧气体的工序，

从上述处理室内排出上述含氧气体的工序，

对上述处理室内的上述衬底供给含氢气体的工序，和

从上述处理室内排出上述含氢气体的工序；

所述技术中，使排出上述含氧气体的工序及排出上述含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出上述原料气体的工序中大。

根据本发明，能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生。

附图说明

图1是本发明的一种实施方式中合适地使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略结构图，是将处理炉部分以纵剖视图示出的图。

图2是本发明的一种实施方式中合适地使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略结构图，是将处理炉部分以图1的A-A线剖视图示出的图。

图3是本发明的一种实施方式中合适地使用的衬底处理装置的控制器的概略结构图，是将控制器的控制系统以框图示出的图。

图4是示出本发明的一种实施方式的成膜顺序中的气体供给的定时及处理室内的压力变化的图，是示出在排出含O气体、含H气体的各步骤中延长了吹扫处理的时间的情况的图。

图5是示出本发明的一种实施方式的成膜顺序中的气体供给的定时及处理室内的压力变化的图，是示出在排出含O气体、含H气体的各步骤中增大了吹扫气体的供给流量的情况的图。

图6是示出本发明的一种实施方式的成膜顺序中的气体供给的定时及处理室内的压力变化的图，是示出在排出含O气体、含H气体的各步骤中依次进行抽真空处理和吹扫处理的情况的图。

图7是示出本发明的一种实施方式的成膜顺序中的气体供给的定时的图，是示出在排出含O气体、含H气体的各步骤中进行循环吹扫处理(交替地反复进行抽真空处理和吹扫处理)的情况的图。

图8是示出本发明的一种实施方式的成膜顺序的变形例1～7的图。

图9是示出本发明的一种实施方式的成膜顺序的变形例8～10的图。