[发明专利]开关元件的制造方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201510551677.9 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105140126A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 邹忠飞 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关 元件 制造 方法 阵列 | ||
1.一种开关元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括步骤：
在基底上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；
对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理；
在所述经由等离子体进行表面处理过的栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；以及
在所述氧化物半导体层上形成源-漏极金属层。
2.根据权利要求1所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理步骤中采用的是一氧化二氮等离子体、氧气等离子体或者是臭氧等离子体中的一种。
3.根据权利要求1所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理的步骤包括：
将形成所述栅极绝缘层后的所述基底放在退火炉中退火；以及
对退火后的所述基底上的所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理。
4.根据权利要求1所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层由氧化硅层与氮化硅层复合形成。
5.根据权利要求4所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层以及对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理的步骤具体包括：
在所述栅极金属层上沉积氮化硅层；
将沉积完所述氮化硅层的所述基底放在退火炉中退火；
对退火后的所述基底上的所述氮化硅层表面进行等离子体处理；
在进行等离子体处理后的所述氮化硅层表面沉积氧化硅层；
对所述氧化硅层表面进行等离子体处理。
6.根据权利要求3或5所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述退火过程是在200℃～500℃的真空退火炉中进行。
7.根据权利要求3或5所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述退火过程持续时间为30～70分钟。
8.根据权利要求1所述的开关元件的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求1-5和8任一项所述的方法制成的开关元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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