[发明专利]开关元件的制造方法及阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种开关元件的制造方法以及包括由该开关元件的制造方法制成的开关元件的阵列基板。

背景技术

液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具备轻薄、节能、无辐射等诸多优点，因此已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示装置被广泛地应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。

液晶显示装置包括阵列基板、与阵列基板相对的彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，其中，阵列基板上设置有晶体管开关元件。具体地，晶体管开关元件的制作过程为：在玻璃基板上沉积栅极金属层、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层、在绝缘层上形成氧化物半导体层、在氧化物半导体层上形成源-漏极金属层。

但是，当向晶体管开关元件施加电压时，栅极绝缘层中的氢离子会逸出至氧化物半导体层，其与氧化物半导体层中的氧离子发生作用，使得氧化物半导体层中氧离子与金属离子的比例减小，易使得氧化物半导体层变成导体，也就是说，氧化物半导体层中氧离子与金属离子的比例减小将影响氧化物半导体层的导电性能，进而使得晶体管元件以及阵列基板的稳定性下降。

因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

发明内容

鉴于以上问题，本发明提供一种稳定性高的开关元件的制造方法。

本发明提供一种开关元件的制造方法，所述方法包括步骤：在基底上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理；在所述经由等离子体进行表面处理过的栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成源-漏极金属层。

优选地，对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理步骤中采用的是一氧化二氮等离子体、氧气等离子体或者是臭氧等离子体中的一种。

优选地，对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理的步骤包括：将形成所述栅极绝缘层后的所述基底放在退火炉中退火；以及对退火后的所述基底上的所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理。

优选地，所述栅极绝缘层由氧化硅层与氮化硅层复合形成。

优选地，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层以及对所述栅极绝缘层表面进行等离子体处理的步骤具体包括：在所述栅极金属层上沉积氮化硅层；将沉积完所述氮化硅层的所述基底放在退火炉中退火；对退火后的所述基底上的所述氮化硅层表面进行等离子体处理；在进行等离子体处理后的所述氮化硅层表面沉积氧化硅层；对所述氧化硅层表面进行等离子体处理。

优选地，所述退火过程是在200℃～500℃的真空退火炉中进行。

优选地，所述退火过程持续时间为30～70分钟。

优选地，所述栅极绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。

本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括由上述的开关元件的制造方法制成的开关元件。

本发明的开关元件的制造方法以及包括该开关元件的制造方法制成的开关元件的阵列基板采用等离子体对栅极绝缘层表面进行轰击，使得栅极绝缘层表面的氢离子与等离子体中的离子结合，阻止氢离子对氧化物半导体层的影响，提高了开关元件的稳定性以及阵列基板的稳定性。

附图说明

图1为本发明一实施例所提供的开关元件的制造方法的步骤流程图。

图2为本发明一实施例所提供的开关元件的制造方法的结构示意图。

图3为本发明一实施例所提供的开关元件的结构示意图。

图4a为现有技术中没有进行等离子体处理的开关元件第一次测试的电压-电流曲线示意图。

图4b为现有技术中没有进行等离子体处理的开关元件第二次测试的电压-电流曲线示意图。

图4c为本发明实施例所提供的开关元件的制造方法制成的开关元件第一次测试的电压-电流曲线示意图。

图4d为本发明实施例所提供的开关元件的制造方法制成的开关元件第二次测试的电压-电流曲线示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的开关元件的制造方法及阵列基板其具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及功效，详细说明如后。