[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括：

形成非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

对所述多晶硅层进行蚀刻，形成硅岛；

对所述硅岛进行离子植入工艺；

利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体包括氢气和氨气中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体还包括氮气。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述硅岛进行离子植入工艺，具体包括：

向所述硅岛中的多晶硅植入P型离子；

向所述硅岛中的多晶硅植入N型离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述非晶硅层转化为多晶硅层，具体为：

利用准分子激光退火工艺，将所述非晶硅层转化为多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成非晶硅层之前，还包括：

在衬底基板上形成遮光层；

在所述遮光层上形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

形成栅极绝缘层、栅极金属层、间绝缘层、源漏极金属层、有机膜层、第一透明电极层、钝化层和第二透明电极层。

8.一种阵列基板，所述阵列基板中形成有多个硅岛，所述硅岛中的多晶硅填充有氢离子。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述硅岛下方设置有遮光层，且所述硅岛与所述遮光层之间设置有氮化硅层和氧化硅层。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述硅岛包括N型掺杂区和无掺杂区。