[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的说，涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。

阵列基板是液晶显示器的重要部件，其中的薄膜晶体管阵列用于控制每个像素的亮度和颜色。薄膜晶体管中主要包括栅极、源极、漏极和有源层，目前越来越多的产品已经采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)作为有源层的材料，替代传统的非晶硅。与传统的非晶硅相比，低温多晶硅具有更高的载流子迁移率，因此能够实现更高的分辨率和更低的功耗。

目前，利用低温多晶硅形成薄膜晶体管的有源层的过程主要包括：首先在基板上形成一层非晶硅，然后利用准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealer，简称ELA)工艺将非晶硅转化为多晶硅，再对多晶硅进行蚀刻，形成硅岛(有源层的图形)，最后对硅岛进行粒子植入工艺，植入所需的离子即可形成薄膜晶体管的有源层。

但是，非晶硅通过ELA工艺转化为多晶硅之后，多晶硅的晶界会产生突起，对导通电子的阻碍较大，而且由于原子组合不够完全，多晶硅的晶界上会产生大量悬空键，影响载流子的迁移率，不利于获得较高的开态电流，对薄膜晶体管的电性造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，以解决现有技术中多晶硅的晶界上存在大量悬空键的技术问题。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

形成非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

对所述多晶硅层进行蚀刻，形成硅岛；

对所述硅岛进行离子植入工艺；

利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。

优选的是，所述等离子体包括氢气和氨气中的至少一种。

进一步的是，所述等离子体还包括氮气。

优选的是，对所述硅岛进行离子植入工艺，具体包括：

向所述硅岛中的多晶硅植入P型离子；

向所述硅岛中的多晶硅植入N型离子。

优选的是，将所述非晶硅层转化为多晶硅层，具体为：

利用准分子激光退火工艺，将所述非晶硅层转化为多晶硅层。

进一步的是，在形成非晶硅层之前，还包括：

在衬底基板上形成遮光层；

在所述遮光层上形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成氧化硅层。

进一步的是，该制造方法还包括：

形成栅极绝缘层、栅极金属层、间绝缘层、源漏极金属层、有机膜层、第一透明电极层、钝化层和第二透明电极层。

本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板中形成有多个硅岛，所述硅岛中的多晶硅填充有氢离子。

进一步的是，所述硅岛下方设置有遮光层，且所述硅岛与所述遮光层之间设置有氮化硅层和氧化硅层。

优选的是，所述硅岛包括N型掺杂区和无掺杂区。

本发明带来了以下有益效果：本发明提供的阵列基板的制造方法中，在将非晶硅层转化为多晶硅层，并进行蚀刻及离子植入之后，利用等离子体对多晶硅进行补氢。通过补氢操作，能够使多晶硅的晶界上的悬空键被氢离子填充，从而提高了载流子的迁移率，使薄膜晶体管的电性得到改善。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是本发明实施例提供的阵列基板的示意图；

图2是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图一；

图3是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图二；

图4是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图三；

图5是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图四。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。