[发明专利]扇出型封装的结构和制作方法有效

专利信息
申请号: 201510553441.9 申请日: 2015-09-01
公开(公告)号: CN105206592B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 陈峰;陆原 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅;韩凤
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 封装 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.扇出型封装的制作方法,其特征是,包括以下步骤:

(1)晶圆厂生产的晶圆上有阵列排布的芯片,对应芯片有电极的一面为晶圆的正面,将所述晶圆正面覆盖防护层,背面覆盖贴片膜,然后切割成单个芯片;

(2)将切割好的芯片正贴到承载片上;

(3)在承载片和芯片上覆盖第一绝缘树脂层,第一绝缘树脂层的高度高于芯片正面的防护层;

(4)将第一绝缘树脂层的厚度减薄,减薄到防护层材料,而不破坏芯片和电极;

(5)去掉芯片上的防护层,露出芯片的正面和电极;

(6)在上一步所得结构的正面涂覆第二绝缘树脂层,并在第二绝缘树脂层表面形成开口,露出芯片的电极;

(7)在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成重布线层;

(8)在第二绝缘树脂层和重布线层表面涂覆第三绝缘树脂层,并在第三绝缘树脂层表面开口,露出重布线层的焊盘;

(9)在重布线层的焊盘表面形成导电柱;

(10)去除承载片和贴片膜,然后在第一绝缘树脂层和芯片背面形成保护层;

所述防护层通过喷涂、印刷、旋涂、层压、热压、浸泡、溅射、电镀、化学镀、蒸镀、键合或焊接方式制作;

所述将第一绝缘树脂层的厚度减薄采用机械减薄、化学减薄或两者相结合的减薄方法,减薄后芯片表面防护层的厚度≥0.5微米;

使用电镀方法,在光刻胶的开口处形成重布线层;再去除光刻胶和光刻胶底部的种子层,保留重布线层和重布线层底部的种子层;

所述贴片膜使用滚压、旋涂、喷涂、印刷、热压、真空压合、浸泡或压力贴合方式涂覆在芯片上;所述去除承载片和贴片膜,通过加热、机械、化学、激光或冷冻方式拆除;

所述在重布线层的焊盘表面形成导电柱的方法为:在重布线层的焊盘表面形成凸点下金属化层,在凸点下金属化层上面形成导电柱;所述导电柱通过印刷、植球、刷球、放球、电镀、化学镀、溅射或蒸镀工艺制作。

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